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RFQs / Order.
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Transistoren - IGBTs - Module

APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK60TG

Teilbestand: 527

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK120TG

Teilbestand: 460

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK120D1G

Teilbestand: 445

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 700W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DU60TG

Teilbestand: 491

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation

APTGT150DU170G

Teilbestand: 520

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 250A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA60TG

Teilbestand: 521

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 225A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170D1G

Teilbestand: 476

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 280A, Leistung max: 780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170G

Teilbestand: 517

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 250A, Leistung max: 890W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120D1G

Teilbestand: 471

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 700W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA120TG

Teilbestand: 482

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A120D1G

Teilbestand: 531

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 700W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Wunschzettel.
APTGT150A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150A170D1G

Teilbestand: 504

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 280A, Leistung max: 780W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

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APTGT100TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT100TA60PG

Teilbestand: 499

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK60TG

Teilbestand: 503

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK170D1G

Teilbestand: 535

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 695W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK60T1G

Teilbestand: 475

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT100SK120TG

Teilbestand: 499

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100SK120D1G

Teilbestand: 504

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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APTGT100DH170G
Microsemi Corporation

APTGT100DH170G

Teilbestand: 519

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

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APTGT100DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DSK60T3G

Teilbestand: 465

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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APTGT100DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DDA60T3G

Teilbestand: 447

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA60TG

Teilbestand: 495

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100DA170TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA170TG

Teilbestand: 472

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA170D1G

Teilbestand: 489

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 695W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100DA120D1G

Teilbestand: 508

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DA120TG

Teilbestand: 456

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A170D1G

Teilbestand: 453

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 695W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100A60TG
Microsemi Corporation

APTGT100A60TG

Teilbestand: 489

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGT100A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT100A120D1G

Teilbestand: 3061

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 520W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGL325SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325SK120D3G

Teilbestand: 506

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 1500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF90TDU60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TDU60PG

Teilbestand: 489

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Triple, Dual - Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGL325DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGL325DA120D3G

Teilbestand: 464

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 420A, Leistung max: 1500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

Wunschzettel.
APTGF90SK60TG
Microsemi Corporation

APTGF90SK60TG

Teilbestand: 437

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGF90TA60PG
Microsemi Corporation

APTGF90TA60PG

Teilbestand: 476

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGF90SK60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60T1G

Teilbestand: 509

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGF90SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90SK60D1G

Teilbestand: 494

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 130A, Leistung max: 445W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

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