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RFQs / Order.
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Transistoren - IGBTs - Module

APTGF90DU60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DU60TG

Teilbestand: 474

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGF90H60TG
Microsemi Corporation

APTGF90H60TG

Teilbestand: 3062

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGF90DH60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DH60TG

Teilbestand: 461

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGF90DA60TG
Microsemi Corporation

APTGF90DA60TG

Teilbestand: 519

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGF90DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60D1G

Teilbestand: 3081

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 130A, Leistung max: 445W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

Wunschzettel.
APTGF90DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90DA60T1G

Teilbestand: 459

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGF90A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF90A60T1G

Teilbestand: 457

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGF90A60TG
Microsemi Corporation

APTGF90A60TG

Teilbestand: 504

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 110A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A,

Wunschzettel.
APTGF90A60D1G
Microsemi Corporation

APTGF90A60D1G

Teilbestand: 3062

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge,

Wunschzettel.
APTGF75SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF75SK60D1G

Teilbestand: 467

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 355W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGF75H120TG
Microsemi Corporation

APTGF75H120TG

Teilbestand: 694

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGF75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DH120TG

Teilbestand: 460

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGF75DSK120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DSK120TG

Teilbestand: 487

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGF75DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF75DA60D1G

Teilbestand: 494

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 355W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGF75DDA120TG
Microsemi Corporation

APTGF75DDA120TG

Teilbestand: 505

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF660U60D4G

Teilbestand: 488

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 860A, Leistung max: 2800W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A,

Wunschzettel.
APTGF75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF75DA120T1G

Teilbestand: 480

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

Wunschzettel.
APTGF50X60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50X60T3G

Teilbestand: 504

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation

APTGF530U120D4G

Teilbestand: 478

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700A, Leistung max: 3900W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 600A,

Wunschzettel.
APTGF50TDU120PG
Microsemi Corporation

APTGF50TDU120PG

Teilbestand: 3072

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Triple, Dual - Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50TA120PG
Microsemi Corporation

APTGF50TA120PG

Teilbestand: 469

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Three Phase, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50SK120T1G

Teilbestand: 439

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF50SK120TG

Teilbestand: 484

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50H60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T3G

Teilbestand: 1481

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DU120TG

Teilbestand: 3098

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGF50DH60TG

Teilbestand: 430

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK60T3G

Teilbestand: 463

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Buck Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA60T3G

Teilbestand: 3088

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50DH120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DH120TG

Teilbestand: 496

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Asymmetrical Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF50DA120TG

Teilbestand: 424

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DA120T1G

Teilbestand: 439

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50A60T1G

Teilbestand: 518

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 65A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF50A120TG
Microsemi Corporation

APTGF50A120TG

Teilbestand: 3078

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF500U60D4G
Microsemi Corporation

APTGF500U60D4G

Teilbestand: 520

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 625A, Leistung max: 2000W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 500A,

Wunschzettel.
APTGF50A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF50A120T1G

Teilbestand: 439

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Wunschzettel.
APTGF400U120D4G
Microsemi Corporation

APTGF400U120D4G

Teilbestand: 3075

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 510A, Leistung max: 2500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A,

Wunschzettel.