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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Brückengleichrichter

GBJ15005-F
Diodes Incorporated

GBJ15005-F

Teilbestand: 29356

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBU1010
Diodes Incorporated

GBU1010

Teilbestand: 41166

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
HDS10M-13
Diodes Incorporated

HDS10M-13

Teilbestand: 77

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 500mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
HDS20M-13
Diodes Incorporated

HDS20M-13

Teilbestand: 68

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
TS8P03GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P03GHC2G

Teilbestand: 146

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBPC2502W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2502W T0G

Teilbestand: 146

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
RABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation

RABS15MHREG

Teilbestand: 173

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBPC3510M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3510M T0G

Teilbestand: 77

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBLS206G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS206G C1G

Teilbestand: 163

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC4006M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4006M T0G

Teilbestand: 94

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
DBLS208GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS208GHC1G

Teilbestand: 153

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1200V,

Wunschzettel.
TS6P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6P07G C2G

Teilbestand: 76

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBPC5004M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5004M T0G

Teilbestand: 148

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBPC4008M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4008M T0G

Teilbestand: 96

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC50005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC50005M T0G

Teilbestand: 86

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
TS25PL05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25PL05G D2G

Teilbestand: 164

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
HDBLS101G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS101G C1G

Teilbestand: 101

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBPC1504W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1504W T0G

Teilbestand: 79

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation

RMB4S RCG

Teilbestand: 138

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBU603 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU603 D2G

Teilbestand: 90

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBPC4010M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4010M T0G

Teilbestand: 159

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
CBR1-L080M
Central Semiconductor Corp

CBR1-L080M

Teilbestand: 130257

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBJ2506-03-G
Comchip Technology

GBJ2506-03-G

Teilbestand: 101

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
KBPC2501W-G
Comchip Technology

KBPC2501W-G

Teilbestand: 41095

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
MP1008G-G
Comchip Technology

MP1008G-G

Teilbestand: 61751

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBU806-G
Comchip Technology

GBU806-G

Teilbestand: 72167

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBJ2501-G
Comchip Technology

GBJ2501-G

Teilbestand: 40899

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
KBPC2502W-G
Comchip Technology

KBPC2502W-G

Teilbestand: 41130

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
DF2005S-G
Comchip Technology

DF2005S-G

Teilbestand: 163757

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
KBPC25005-G
Comchip Technology

KBPC25005-G

Teilbestand: 37024

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
VBO20-16AO2
IXYS

VBO20-16AO2

Teilbestand: 2413

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Avalanche, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 31A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 55A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

Wunschzettel.
GSIB620N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB620N-M3/45

Teilbestand: 64923

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
GSIB6A40N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A40N-M3/45

Teilbestand: 72874

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
G2SB60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-M3/45

Teilbestand: 142421

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
VS-2KBB10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB10

Teilbestand: 39441

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.9A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.9A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
G2SB60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-M3/51

Teilbestand: 132931

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.