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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Brückengleichrichter

GBPC3506M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3506M T0G

Teilbestand: 88

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBU1003HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1003HD2G

Teilbestand: 96

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
TS8P01G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P01G C2G

Teilbestand: 137

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
DBLS102G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS102G C1G

Teilbestand: 173

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBL06HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL06HD2G

Teilbestand: 135

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBPC3508 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3508 T0G

Teilbestand: 147

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC1508M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1508M T0G

Teilbestand: 88

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBU1006HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1006HD2G

Teilbestand: 129

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBLA02 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA02 D2G

Teilbestand: 124

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
TS50P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P06GHD2G

Teilbestand: 152

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
TS10P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P05G C2G

Teilbestand: 126

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
DBLS105G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS105G C1G

Teilbestand: 73

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

Wunschzettel.
DBL105GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL105GHC1G

Teilbestand: 129

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

Wunschzettel.
TS4K80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS4K80 D3G

Teilbestand: 68

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBL202 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL202 D2G

Teilbestand: 164

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBU606-G
Comchip Technology

GBU606-G

Teilbestand: 71604

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
Z4GP206-HF
Comchip Technology

Z4GP206-HF

Teilbestand: 175746

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBPC5004W-G
Comchip Technology

GBPC5004W-G

Teilbestand: 28636

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
KBL4005-G
Comchip Technology

KBL4005-G

Teilbestand: 168157

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBJ2506-04-G
Comchip Technology

GBJ2506-04-G

Teilbestand: 119

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
KBU3501-G
Comchip Technology

KBU3501-G

Teilbestand: 69226

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
CDBHM180L-G
Comchip Technology

CDBHM180L-G

Teilbestand: 119230

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 80V,

Wunschzettel.
GBU608-G
Comchip Technology

GBU608-G

Teilbestand: 69574

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
KBPC1504W-G
Comchip Technology

KBPC1504W-G

Teilbestand: 45832

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
KBU1008-G
Comchip Technology

KBU1008-G

Teilbestand: 84946

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
KBU35005-G
Comchip Technology

KBU35005-G

Teilbestand: 52339

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBL01-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL01-M3/45

Teilbestand: 117637

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
MB2M-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB2M-E3/45

Teilbestand: 162046

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 400mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
G2SB80-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB80-E3/45

Teilbestand: 173208

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 600V,

Wunschzettel.
G2SB60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB60-E3/45

Teilbestand: 173154

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 750mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
CBR2-L060M
Central Semiconductor Corp

CBR2-L060M

Teilbestand: 133787

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
CBR2-L020M
Central Semiconductor Corp

CBR2-L020M

Teilbestand: 135700

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
CBR2-L100M
Central Semiconductor Corp

CBR2-L100M

Teilbestand: 125204

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
MD130S16M3-BP
Micro Commercial Co

MD130S16M3-BP

Teilbestand: 1494

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.6kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 130A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 300A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1600V,

Wunschzettel.
KMB26STR
SMC Diode Solutions

KMB26STR

Teilbestand: 148

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 60V,

Wunschzettel.
KMB245STR
SMC Diode Solutions

KMB245STR

Teilbestand: 175

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 45V,

Wunschzettel.