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RFQs / Order.
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Dioden - Brückengleichrichter

GBLA08-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA08-M3/45

Teilbestand: 126715

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
GSIB2560N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2560N-M3/45

Teilbestand: 46473

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GSIB640-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB640-E3/45

Teilbestand: 76616

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBLA01-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA01-E3/51

Teilbestand: 145863

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBL01-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL01-M3/51

Teilbestand: 117661

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBLA08-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA08-M3/51

Teilbestand: 126689

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
TSS4B01GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B01GHD2G

Teilbestand: 83

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBPC2508 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2508 T0G

Teilbestand: 122

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
RABS15M RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

RABS15M RGG

Teilbestand: 106

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBLS206G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS206G RDG

Teilbestand: 95

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

Wunschzettel.
SBS25HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS25HREG

Teilbestand: 106

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBU2506 D2
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU2506 D2

Teilbestand: 86

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
DBLS104GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS104GHC1G

Teilbestand: 129

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 400V,

Wunschzettel.
TS10K80HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10K80HD3G

Teilbestand: 147

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBL10HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL10HD2G

Teilbestand: 149

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBPC4010 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC4010 T0G

Teilbestand: 108

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBPC35005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC35005M T0G

Teilbestand: 121

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
DBLS207GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS207GHRDG

Teilbestand: 149

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1000V,

Wunschzettel.
DBLS107GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS107GHRDG

Teilbestand: 98

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1000V,

Wunschzettel.
KBU2501-G
Comchip Technology

KBU2501-G

Teilbestand: 63139

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
MP10005G-G
Comchip Technology

MP10005G-G

Teilbestand: 62640

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
CDBHM1100L-G
Comchip Technology

CDBHM1100L-G

Teilbestand: 135282

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 100V,

Wunschzettel.
KBPC5002W-G
Comchip Technology

KBPC5002W-G

Teilbestand: 34120

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBPC25005-G
Comchip Technology

GBPC25005-G

Teilbestand: 32561

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBPC5006W-G
Comchip Technology

GBPC5006W-G

Teilbestand: 20940

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
KBPC5001W-G
Comchip Technology

KBPC5001W-G

Teilbestand: 34208

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBJ2510-05-G
Comchip Technology

GBJ2510-05-G

Teilbestand: 140

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBPC50005-G
Comchip Technology

GBPC50005-G

Teilbestand: 26100

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBJ10005-G
Comchip Technology

GBJ10005-G

Teilbestand: 52393

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
KBPC1502-G
Comchip Technology

KBPC1502-G

Teilbestand: 41204

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
DF1502S-G
Comchip Technology

DF1502S-G

Teilbestand: 178869

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
KBP2005G-G
Comchip Technology

KBP2005G-G

Teilbestand: 136775

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
CDBHM250L-HF
Comchip Technology

CDBHM250L-HF

Teilbestand: 108403

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1mA @ 50V,

Wunschzettel.
GHXS020A060S-D1E
Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D1E

Teilbestand: 1471

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 20A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200µA @ 600V,

Wunschzettel.
KMB23STR
SMC Diode Solutions

KMB23STR

Teilbestand: 81

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 30V,

Wunschzettel.
PB68-BP
Micro Commercial Co

PB68-BP

Teilbestand: 43668

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.