Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

60158

60158

Teilbestand: 7330

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60159

60159

Teilbestand: 7316

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64010H

64010H

Teilbestand: 7088

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64053

64053

Teilbestand: 7055

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64044

64044

Teilbestand: 7059

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61074

61074

Teilbestand: 7080

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76020H

76020H

Teilbestand: 7270

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75101H

75101H

Teilbestand: 7254

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75109A

75109A

Teilbestand: 4787

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75096A

75096A

Teilbestand: 7341

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74060H

74060H

Teilbestand: 7251

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70062A

70062A

Teilbestand: 4804

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70060A

70060A

Teilbestand: 7318

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70061A

70061A

Teilbestand: 7262

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75102

75102

Teilbestand: 29112

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75112

75112

Teilbestand: 7306

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76016S

76016S

Teilbestand: 7117

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75086H

75086H

Teilbestand: 7034

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75060B

75060B

Teilbestand: 7098

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80279H

80279H

Teilbestand: 7293

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80277H

80277H

Teilbestand: 7331

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80275H

80275H

Teilbestand: 7251

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82094

82094

Teilbestand: 7294

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80262

80262

Teilbestand: 7333

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80005

80005

Teilbestand: 7070

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90025HS

90025HS

Teilbestand: 7109

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BFR92ALT1

BFR92ALT1

Teilbestand: 4797

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz, Leistung max: 273mW,

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MS2225H

MS2225H

Teilbestand: 7263

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MS2575A

MS2575A

Teilbestand: 7317

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MS2214

MS2214

Teilbestand: 7258

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 300W,

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TPR1000

TPR1000

Teilbestand: 146

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 6dB, Leistung max: 2900W,

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MS2211

MS2211

Teilbestand: 7282

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 48V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 9.3dB, Leistung max: 25W,

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JANTXV2N2857UB

JANTXV2N2857UB

Teilbestand: 976

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 200mW,

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MRF5812GR1

MRF5812GR1

Teilbestand: 7175

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

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MS2284

MS2284

Teilbestand: 7279

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MDS400

MDS400

Teilbestand: 264

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 1450W,

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