Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MS2209

Teilbestand: 346

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 220W,

TPR1000A

Teilbestand: 7322

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 6dB, Leistung max: 2900W,

SD1143-01

Teilbestand: 7305

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 20W,

JAN2N2857

Teilbestand: 7315

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Leistung max: 200mW,

MS2421

Teilbestand: 270

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.3dB, Leistung max: 875W,

MS2210A

Teilbestand: 7307

SD1013

Teilbestand: 7197

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 13W,

MS2205

Teilbestand: 4755

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 21.9W,

SD1372-06H

Teilbestand: 7273

MS1337

Teilbestand: 7281

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 70W,

MSC86580

Teilbestand: 7289

SD1372-01H

Teilbestand: 4788

SD1244-09H

Teilbestand: 4737

MRF8372G

Teilbestand: 7242

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,

SD1332-05H

Teilbestand: 7296

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 180W,

MS1076

Teilbestand: 994

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 320W,

MS2322

Teilbestand: 7281

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 87.5W,

MRF545

Teilbestand: 7255

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1GHz ~ 1.4GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 3.5W,

UTV8100B

Teilbestand: 255

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 9.5dB, Leistung max: 290W,

TAN75A

Teilbestand: 437

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 8.5dB, Leistung max: 290W,

MS2563

Teilbestand: 4821

JANTX2N4957

Teilbestand: 1887

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

MS2506

Teilbestand: 7341

SD1330-06H

Teilbestand: 7298

JANTXV2N2857

Teilbestand: 7224

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Leistung max: 200mW,

TPR175

Teilbestand: 656

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9dB, Leistung max: 290W,

MS2422

Teilbestand: 368

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 6.3dB, Leistung max: 875W,

MS1030

Teilbestand: 7329

SD1536-01

Teilbestand: 7320

UTV005

Teilbestand: 911

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 8W,

MDS1100

Teilbestand: 189

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz, Dazugewinnen: 8.9dB, Leistung max: 8750W,

TAN250A

Teilbestand: 279

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 6.2db ~ 7dB, Leistung max: 575W,

MDS150

Teilbestand: 459

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 350W,

MS1582

Teilbestand: 506

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 135W,

MRF555GT

Teilbestand: 7282

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Leistung max: 3W,

MS2226H

Teilbestand: 4759