Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MRF4427G

MRF4427G

Teilbestand: 7224

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,

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SD1019

SD1019

Teilbestand: 7352

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 136MHz, Dazugewinnen: 4.5dB, Leistung max: 117W,

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MS1202

MS1202

Teilbestand: 7197

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 118MHz ~ 136MHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 15W,

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MS1336

MS1336

Teilbestand: 1077

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 70W,

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MS1649

MS1649

Teilbestand: 4562

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 7.8W,

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MS2502A

MS2502A

Teilbestand: 7336

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MS2244

MS2244

Teilbestand: 7321

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MRF8372R1

MRF8372R1

Teilbestand: 7286

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,

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MS2206

MS2206

Teilbestand: 7232

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 7.5W,

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MS1227

MS1227

Teilbestand: 1189

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 80W,

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MRF4427R1

MRF4427R1

Teilbestand: 7274

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,

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SD1127

SD1127

Teilbestand: 3891

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 8W,

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MSC1450M

MSC1450M

Teilbestand: 343

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 910W,

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TCS800

TCS800

Teilbestand: 211

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9dB, Leistung max: 1944W,

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SD8268-21H

SD8268-21H

Teilbestand: 7359

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TAN15

TAN15

Teilbestand: 549

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 8dB, Leistung max: 175W,

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MRF5812M

MRF5812M

Teilbestand: 5533

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MRF5812MR2

MRF5812MR2

Teilbestand: 7279

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JANS2N2857UB-LC

JANS2N2857UB-LC

Teilbestand: 4803

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 200mW,

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SD1419-06H

SD1419-06H

Teilbestand: 7341

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MS2341

MS2341

Teilbestand: 7288

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 87.5W,

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JAN2N4957

JAN2N4957

Teilbestand: 7284

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

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MSC72111H

MSC72111H

Teilbestand: 7267

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SD8002-01H

SD8002-01H

Teilbestand: 7301

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MSC74070

MSC74070

Teilbestand: 7353

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MS1579

MS1579

Teilbestand: 7203

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 65W,

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MS2874

MS2874

Teilbestand: 7302

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MS2200A

MS2200A

Teilbestand: 7286

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MDS500L

MDS500L

Teilbestand: 199

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 9.2dB, Leistung max: 833W,

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JAN2N2857UB

JAN2N2857UB

Teilbestand: 1258

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 200mW,

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MS1015D

MS1015D

Teilbestand: 7280

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MS2279

MS2279

Teilbestand: 7291

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DME375A

DME375A

Teilbestand: 319

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 375W,

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MRF5812G

MRF5812G

Teilbestand: 7287

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

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MS1051

MS1051

Teilbestand: 7261

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 290W,

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MSC80806

MSC80806

Teilbestand: 7277

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