Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 136MHz, Dazugewinnen: 4.5dB, Leistung max: 117W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 118MHz ~ 136MHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 15W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 70W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 7.8W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 7.5W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 80W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 8W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 910W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9dB, Leistung max: 1944W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 8dB, Leistung max: 175W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 87.5W,
Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 65W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 9.2dB, Leistung max: 833W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 375W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 290W,
