Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 940W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 127W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 233W,
Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 1458W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 8.1dB ~ 8.9dB, Leistung max: 50W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 36V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 80W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 100MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 28W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 7.6dB, Leistung max: 60W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 87.5W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.6dB, Leistung max: 940W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 15W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 33V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Dazugewinnen: 5.5dBi, Leistung max: 260W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 6.5dB ~ 10.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 8.6dB, Leistung max: 1458W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 28V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 9.5dB, Leistung max: 80W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 25W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 28V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 10dB, Leistung max: 65W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 500W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 10.3dB ~ 11.65dB, Leistung max: 225W,
