Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MS2213

Teilbestand: 7258

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.8dB, Leistung max: 75W,

MSC1400M

Teilbestand: 7239

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 1000W,

UMIL80

Teilbestand: 325

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 31V, Häufigkeit - Übergang: 200MHz ~ 500MHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 9.5dB, Leistung max: 220W,

MRF4427GR2

Teilbestand: 7241

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,

MS2267

Teilbestand: 273

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 8.7dB, Leistung max: 575W,

MRF8372GR2

Teilbestand: 7269

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,

MRF581A

Teilbestand: 7176

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

MS2092H

Teilbestand: 7332

MS2206A

Teilbestand: 7288

MS1406

Teilbestand: 7275

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 8.2dB, Leistung max: 30W,

JANTXV2N4957UB

Teilbestand: 7261

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

MS1076C

Teilbestand: 7292

JANTX2N4957UB

Teilbestand: 1738

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

MS2348

Teilbestand: 7296

MS652S

Teilbestand: 1249

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 450MHz ~ 512MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 25W,

MRF555T

Teilbestand: 7249

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Dazugewinnen: 11dB ~ 12.5dB, Leistung max: 3W,

SRF4427

Teilbestand: 49572

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 1.3GHz, Dazugewinnen: 17dB ~ 18dB, Leistung max: 1.5W,

MRF559

Teilbestand: 7252

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 2W,

SD1332-05C

Teilbestand: 7331

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 180W,

MS1612

Teilbestand: 7283

MS2588

Teilbestand: 7315

SD1013-20H

Teilbestand: 7349

MRF559GT

Teilbestand: 7310

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 2W,

S200-50

Teilbestand: 463

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 110V, Häufigkeit - Übergang: 1.5MHz ~ 30MHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 14.5dB, Leistung max: 320W,

C1-28Z

Teilbestand: 7302

SD8253-02H

Teilbestand: 7323

SD1400-03

Teilbestand: 7306

SD1330-05H

Teilbestand: 7353

UMIL25

Teilbestand: 7228

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 33V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 8.9db ~ 10dB, Leistung max: 70W,

SD1526-01

Teilbestand: 1136

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 21.9W,

MS2473

Teilbestand: 348

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 6dB, Leistung max: 2300W,

MRF5812GR2

Teilbestand: 7175

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

MS2608

Teilbestand: 7297

MS2215

Teilbestand: 7243

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 300W,

DME400A

Teilbestand: 284

MSC1450A

Teilbestand: 7317

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 910W,