Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

TCS1200

Teilbestand: 117

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz, Dazugewinnen: 10.2dBd, Leistung max: 2095W,

MS2562

Teilbestand: 7301

MSC80205

Teilbestand: 7316

MRF5812

Teilbestand: 7299

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

MS1261

Teilbestand: 1022

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 34W,

MS3455

Teilbestand: 7264

MS2207

Teilbestand: 350

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 880W,

MRF555G

Teilbestand: 7247

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Leistung max: 3W,

SD1224

Teilbestand: 1317

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 7.6dB, Leistung max: 60W,

MS1030DE

Teilbestand: 4759

MS2552

Teilbestand: 323

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.7dB, Leistung max: 880W,

JTDB25

Teilbestand: 278

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 97W,

MS1001

Teilbestand: 854

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 270W,

MS1019

Teilbestand: 7324

MS1004

Teilbestand: 552

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 14.5dB, Leistung max: 330W,

MRF553G

Teilbestand: 4770

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 3W,

MS1801

Teilbestand: 7255

MRF581G

Teilbestand: 7182

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

TPR400

Teilbestand: 415

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 7.27dB, Leistung max: 875W,

SD1019-02

Teilbestand: 4742

MRF5812R1

Teilbestand: 4769

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

MRF553GT

Teilbestand: 7274

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 3W,

MS2091H

Teilbestand: 4771

MS2200

Teilbestand: 256

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz ~ 500MHz, Dazugewinnen: 9.7dB, Leistung max: 1167W,

MRF544

Teilbestand: 7226

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 3.5W,

MRF586G

Teilbestand: 12277

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 17V, Häufigkeit - Übergang: 3GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 1W,

MRF553T

Teilbestand: 7300

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 3W,

UMIL100A

Teilbestand: 249

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 31V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 7.2dB ~ 8.5dB, Leistung max: 270W,

MS2201

Teilbestand: 4799

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 10W,

MSC1350M

Teilbestand: 323

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 7.1dB, Leistung max: 720W,

SD1244-12H

Teilbestand: 7353

MS2554A

Teilbestand: 7333

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.2dB, Leistung max: 600W,

MRF586

Teilbestand: 7224

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 17V, Häufigkeit - Übergang: 3GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 1W,

MPA201

Teilbestand: 361

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 22V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 6W,

SD1853-02H

Teilbestand: 7277

JANTX2N2857UB

Teilbestand: 7260

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 200mW,