Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

SD1013-03

SD1013-03

Teilbestand: 7261

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 13W,

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MS1014

MS1014

Teilbestand: 7304

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MS2203

MS2203

Teilbestand: 7214

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 10.8dB ~ 12.3dB, Leistung max: 5W,

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MSC1175MA

MSC1175MA

Teilbestand: 7365

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 400W,

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MS2502W

MS2502W

Teilbestand: 4760

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S200-50A

S200-50A

Teilbestand: 7331

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TPR700

TPR700

Teilbestand: 266

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 6.7dB, Leistung max: 2050W,

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MRF8372MR1

MRF8372MR1

Teilbestand: 5529

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MRF553

MRF553

Teilbestand: 7320

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 3W,

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MS3456

MS3456

Teilbestand: 4737

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MRF5812MR1

MRF5812MR1

Teilbestand: 7247

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MRF4427GR1

MRF4427GR1

Teilbestand: 7224

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,

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MS2870

MS2870

Teilbestand: 7280

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MDS60L

MDS60L

Teilbestand: 349

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 120W,

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MS2361

MS2361

Teilbestand: 7206

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 87.5W,

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TAN350

TAN350

Teilbestand: 210

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 7.5dB, Leistung max: 1450W,

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MS2553C

MS2553C

Teilbestand: 685

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10.5dB, Leistung max: 175W,

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UMIL3

UMIL3

Teilbestand: 1017

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 11.8db ~ 13dB, Leistung max: 11W,

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MC1331-3

MC1331-3

Teilbestand: 7291

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SD1444

SD1444

Teilbestand: 3821

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 450MHz ~ 512MHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 5W,

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MS1512

MS1512

Teilbestand: 1355

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 860MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 19.4W,

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DME500

DME500

Teilbestand: 286

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6dB ~ 6.5dB, Leistung max: 1700W,

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UMIL3B

UMIL3B

Teilbestand: 5511

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 11W,

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JTDB75

JTDB75

Teilbestand: 403

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 8.2dB, Leistung max: 220W,

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MS2202

MS2202

Teilbestand: 7277

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 10W,

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MRF581AG

MRF581AG

Teilbestand: 7185

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

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DME800

DME800

Teilbestand: 240

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 10dB, Leistung max: 2500W,

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MC1331

MC1331

Teilbestand: 7276

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MS1402

MS1402

Teilbestand: 1349

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 450MHz ~ 512MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 5W,

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MSC1175M

MSC1175M

Teilbestand: 343

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 400W,

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MSC1090M

MSC1090M

Teilbestand: 4810

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 220W,

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MS2473A

MS2473A

Teilbestand: 7306

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ITC1100

ITC1100

Teilbestand: 172

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 10.5dB, Leistung max: 3400W,

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MS2321A

MS2321A

Teilbestand: 7354

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SD1015

SD1015

Teilbestand: 7325

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 10W,

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MS2266

MS2266

Teilbestand: 7283

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