Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

STMicroelectronics

STT13005

Teilbestand: 138198

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 1.6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V,

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STMicroelectronics

STD1805T4

Teilbestand: 6132

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

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STMicroelectronics

TIP50

Teilbestand: 120088

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

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STMicroelectronics

STBV42G-AP

Teilbestand: 6367

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

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STMicroelectronics

STSA851-AP

Teilbestand: 6417

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 1V,

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STMicroelectronics

STE07DE220

Teilbestand: 3307

Transistortyp: NPN - Emitter Switched Bipolar, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2200V,

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STMicroelectronics

STF724

Teilbestand: 5928

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

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STMicroelectronics

MJ802

Teilbestand: 5858

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 90V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V,

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STMicroelectronics

ESM2012DV

Teilbestand: 5885

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 120A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 100A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 100A, 5V,

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STMicroelectronics

STBV68

Teilbestand: 5871

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 100mA, 250mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 250mA, 10V,

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STMicroelectronics

STX112

Teilbestand: 5894

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

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STMicroelectronics

ESM3045DV

Teilbestand: 5856

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 24A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1.2A, 20A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20A, 5V,

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STMicroelectronics

SGSD200

Teilbestand: 5922

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V,

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STMicroelectronics

TIP32C

Teilbestand: 130766

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

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STMicroelectronics

ST2408HI

Teilbestand: 5917

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 8A, 5V,

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STMicroelectronics

STBV42

Teilbestand: 5932

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

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STMicroelectronics

ESM3030DV

Teilbestand: 2502

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.4A, 85A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 85A, 5V,

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STMicroelectronics

ST1802FX

Teilbestand: 5871

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

STBV45

Teilbestand: 5895

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 750mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 135mA, 400mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 400mA, 5V,

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STMicroelectronics

ESM4045DV

Teilbestand: 5882

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 42A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2A, 35A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 35A, 5V,

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STMicroelectronics

TIP135

Teilbestand: 5926

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 30mA, 6A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

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STMicroelectronics

STX13003

Teilbestand: 5886

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V,

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STMicroelectronics

ESM5045DV

Teilbestand: 5857

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2.8A, 50A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 50A, 5V,

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STMicroelectronics

ESM2030DV

Teilbestand: 5903

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 67A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.6A, 56A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 56A, 5V,

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STMicroelectronics

MJ4035

Teilbestand: 5925

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 16A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 16A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 10A, 3V,

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STMicroelectronics

MJD32C

Teilbestand: 5913

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

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STMicroelectronics

MJD31C

Teilbestand: 5925

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

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STMicroelectronics

ST2310DHI

Teilbestand: 5872

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 1.75A, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 7A, 5V,

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STMicroelectronics

ST8812FP

Teilbestand: 5928

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

SGSD100

Teilbestand: 5901

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V,

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STMicroelectronics

STPSA42-AP

Teilbestand: 5858

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

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STMicroelectronics

TIP122FP

Teilbestand: 6597

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

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STMicroelectronics

ST1802FH

Teilbestand: 5944

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 800mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 5A, 5V,

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STMicroelectronics

ST2001FX

Teilbestand: 6658

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V,

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STMicroelectronics

STX715

Teilbestand: 5901

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V,

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STMicroelectronics

ESM6045AV

Teilbestand: 5865

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 72A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 450V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 2.4A, 60A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 60A, 5V,

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