Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZX84C11 RFG

Teilbestand: 250

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62S RRG

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 215 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 43.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B62S RRG

Teilbestand: 209

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 215 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 43.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6K RKG

Teilbestand: 257

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4S RRG

Teilbestand: 177

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B30 RHG

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36K RKG

Teilbestand: 204

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43 RHG

Teilbestand: 241

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 30.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C7V5 RFG

Teilbestand: 238

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C18 RFG

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B16-G RHG

Teilbestand: 214

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B5V6 RSG

Teilbestand: 193

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C75K RKG

Teilbestand: 230

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 255 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 57V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C68K RKG

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 240 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 52V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B7V5S RRG

Teilbestand: 234

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 900nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B6V2 RSG

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6K RKG

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2.5V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B47S RRG

Teilbestand: 248

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V8-G RHG

Teilbestand: 247

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C15 RFG

Teilbestand: 194

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C47S RRG

Teilbestand: 176

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4S RRG

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C24P RQG

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24.2V, Toleranz: ±5.78%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C220P RQG

Teilbestand: 203

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 220.5V, Toleranz: ±5.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 900 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 160V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C68PHRQG

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5.88%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C12P RQG

Teilbestand: 266

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5.41%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C13PHRQG

Teilbestand: 242

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13.25V, Toleranz: ±6.41%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C43P RQG

Teilbestand: 197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±6.97%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C20PHRQG

Teilbestand: 268

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C100P RQG

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 100V, Toleranz: ±6%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 75V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C180P RQG

Teilbestand: 221

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 179.5V, Toleranz: ±6.4%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 450 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 130V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD17C18P RQG

Teilbestand: 257

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C39P RQG

Teilbestand: 239

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5.12%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 30V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C27P RQG

Teilbestand: 245

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±7.03%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C62P RQG

Teilbestand: 265

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±6.45%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C91PHRHG

Teilbestand: 264

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 90.5V, Toleranz: ±6.07%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 68V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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