Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZT52B3V0S RRG

Teilbestand: 227

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 9µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V0K RKG

Teilbestand: 204

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B68S RRG

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 240 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 47.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C15-G RHG

Teilbestand: 183

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B8V2-G RHG

Teilbestand: 252

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 700nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11S RRG

Teilbestand: 255

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C30 RFG

Teilbestand: 250

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B12S RRG

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V2S RRG

Teilbestand: 183

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C4V3 RFG

Teilbestand: 222

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C10 RFG

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V3S RRG

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4.5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V3S RRG

Teilbestand: 247

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B30-G RHG

Teilbestand: 253

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7K RKG

Teilbestand: 264

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B9V1 RHG

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 450nA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C12K RKG

Teilbestand: 229

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 9V,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B8V2 RHG

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 630nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V7-G RHG

Teilbestand: 229

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C6V8 RFG

Teilbestand: 255

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B24-G RHG

Teilbestand: 250

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 16.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B18-G RHG

Teilbestand: 206

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C18-G RHG

Teilbestand: 236

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C7V5-G RHG

Teilbestand: 227

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33 RHG

Teilbestand: 185

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 23V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B9V1-G RHG

Teilbestand: 174

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B7V5 RSG

Teilbestand: 256

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C12 RFG

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C68S RRG

Teilbestand: 266

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 240 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 47.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8-G RHG

Teilbestand: 217

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10S RRG

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 180nA @ 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B20S RRG

Teilbestand: 174

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C51K RKG

Teilbestand: 247

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 180 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 39V,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30-G RHG

Teilbestand: 172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V3-G RHG

Teilbestand: 257

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B16 RHG

Teilbestand: 227

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 11.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

Wunschzettel