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Dioden - Zener - Single

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BZT52C33K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33K RKG

Teilbestand: 223

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 25V,

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BZT52C10-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10-G RHG

Teilbestand: 182

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C2V4 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4 RHG

Teilbestand: 211

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52B47 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B47 RHG

Teilbestand: 223

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C20K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20K RKG

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V,

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BZT52B3V0 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V0 RHG

Teilbestand: 245

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 9µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C9V1K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C9V1K RKG

Teilbestand: 226

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 6V,

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BZT52C6V2K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V2K RKG

Teilbestand: 174

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 3V,

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BZT52C3V6-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6-G RHG

Teilbestand: 238

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B39-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B39-G RHG

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27.3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C30S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C30S RRG

Teilbestand: 247

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C2V4-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V4-G RHG

Teilbestand: 222

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C18K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C18K RKG

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V,

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BZT52C22-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22-G RHG

Teilbestand: 241

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B11-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B11-G RHG

Teilbestand: 200

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C3V3-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3-G RHG

Teilbestand: 248

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZX84C22 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C22 RFG

Teilbestand: 251

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B2V4-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V4-G RHG

Teilbestand: 214

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C6V8 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8 RHG

Teilbestand: 204

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1.8µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C62K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C62K RKG

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 215 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 47V,

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BZX84C2V7 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C2V7 RFG

Teilbestand: 209

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B18S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B18S RRG

Teilbestand: 253

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 12.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C8V2K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C8V2K RKG

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 5V,

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BZT52C24K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24K RKG

Teilbestand: 250

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 19V,

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BZT52B4V7S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V7S RRG

Teilbestand: 234

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C6V8K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C6V8K RKG

Teilbestand: 241

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 3.5V,

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BZT52B33-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B33-G RHG

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 23.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C39-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C39-G RHG

Teilbestand: 235

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27.3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B20-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B20-G RHG

Teilbestand: 249

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZX84C4V7 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C4V7 RFG

Teilbestand: 263

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B39S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B39S RRG

Teilbestand: 198

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 27.3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C13-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C13-G RHG

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C20-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20-G RHG

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C5V6-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6-G RHG

Teilbestand: 186

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B15S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B15S RRG

Teilbestand: 255

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 10.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52B33S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B33S RRG

Teilbestand: 220

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 23V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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