Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZT52C6V2-G RHG

Teilbestand: 234

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B5V1 RSG

Teilbestand: 224

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C39 RHG

Teilbestand: 252

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 27.3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43K RKG

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 33V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B56S RRG

Teilbestand: 199

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 39.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C15K RKG

Teilbestand: 256

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B11 RHG

Teilbestand: 174

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V6 RHG

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 900nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C16 RFG

Teilbestand: 185

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C9V1-G RHG

Teilbestand: 198

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B22-G RHG

Teilbestand: 228

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V7K RKG

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 120µA @ 1V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V1-G RHG

Teilbestand: 196

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V9S RRG

Teilbestand: 217

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V2-G RHG

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B51 RHG

Teilbestand: 193

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 180 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 35.7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V1 RHG

Teilbestand: 170

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1.8µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V9-G RHG

Teilbestand: 240

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22K RKG

Teilbestand: 246

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 17V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B8V2 RSG

Teilbestand: 227

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 700nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V3 RFG

Teilbestand: 224

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C9V1 RFG

Teilbestand: 254

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V7S RRG

Teilbestand: 252

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 18µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C27S RRG

Teilbestand: 178

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 18.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C13K RKG

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V0-G RHG

Teilbestand: 213

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B68 RHG

Teilbestand: 172

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 240 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 47.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B62 RHG

Teilbestand: 192

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 215 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 43.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C2V4 RFG

Teilbestand: 218

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V8S RRG

Teilbestand: 243

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1.8µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C8V2S RRG

Teilbestand: 207

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 630nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B10-G RHG

Teilbestand: 232

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24S RRG

Teilbestand: 226

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 16.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C5V6 RFG

Teilbestand: 192

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V6-G RHG

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V0 RHG

Teilbestand: 181

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 9µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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