Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZT52B7V5-G RHG

Teilbestand: 200

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C10K RKG

Teilbestand: 189

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B30S RRG

Teilbestand: 262

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 21V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C6V2 RFG

Teilbestand: 191

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C16 RHG

Teilbestand: 215

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 11.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B6V8 RHG

Teilbestand: 178

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1.8µA @ 4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B51S RRG

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 180 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 35.7V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C75S RRG

Teilbestand: 261

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 255 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 52.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX584B9V1 RSG

Teilbestand: 212

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C56K RKG

Teilbestand: 211

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 43V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B43-G RHG

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 29.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36 RHG

Teilbestand: 228

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 25.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B27-G RHG

Teilbestand: 203

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B24 RHG

Teilbestand: 198

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 16.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V6S RRG

Teilbestand: 266

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 900nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C5V1K RKG

Teilbestand: 181

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1.5V,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B13S RRG

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V3 RHG

Teilbestand: 207

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22S RRG

Teilbestand: 189

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 15.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C39 RFG

Teilbestand: 187

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 130 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27.3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B3V6S RRG

Teilbestand: 230

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4.5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C12-G RHG

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33S RRG

Teilbestand: 266

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 23V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C33 RFG

Teilbestand: 219

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 23.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C3V9 RFG

Teilbestand: 223

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B16S RRG

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 11.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V1-G RHG

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B27S RRG

Teilbestand: 178

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 18.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C43S RRG

Teilbestand: 259

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 30.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B15-G RHG

Teilbestand: 214

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24-G RHG

Teilbestand: 183

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 16.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C27-G RHG

Teilbestand: 198

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18.9V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B43S RRG

Teilbestand: 167

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 30.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V7 RHG

Teilbestand: 174

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V9 RHG

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V7 RHG

Teilbestand: 185

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 18µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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