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Dioden - Zener - Single

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BZT52B8V2S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B8V2S RRG

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 630nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C11K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C11K RKG

Teilbestand: 228

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V,

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BZT52C3V9K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V9K RKG

Teilbestand: 250

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V,

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BZT52C33-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C33-G RHG

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 23.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C3V6S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V6S RRG

Teilbestand: 230

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4.5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52B36 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B36 RHG

Teilbestand: 260

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 25.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C36-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C36-G RHG

Teilbestand: 223

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 25.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B24S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B24S RRG

Teilbestand: 167

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 16.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52B4V7 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B4V7 RHG

Teilbestand: 199

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C18 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C18 RHG

Teilbestand: 259

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 45 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 12.6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52B36S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B36S RRG

Teilbestand: 225

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 25.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52B22S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B22S RRG

Teilbestand: 184

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 15.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C13S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C13S RRG

Teilbestand: 206

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C16K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C16K RKG

Teilbestand: 265

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V,

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BZT52C7V5K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C7V5K RKG

Teilbestand: 192

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 4V,

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BZT52C9V1S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C9V1S RRG

Teilbestand: 253

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 450nA @ 6V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C2V7-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C2V7-G RHG

Teilbestand: 259

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B56 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B56 RHG

Teilbestand: 252

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 39.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52B13-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B13-G RHG

Teilbestand: 201

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C3V3 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3 RHG

Teilbestand: 264

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4.5µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C47K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C47K RKG

Teilbestand: 226

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 36V,

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BZT52C27K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C27K RKG

Teilbestand: 215

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V,

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BZT52C22 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C22 RHG

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 15.4V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C24 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C24 RHG

Teilbestand: 211

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 16.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52B12-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B12-G RHG

Teilbestand: 190

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 410mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52C3V3K RKG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C3V3K RKG

Teilbestand: 256

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 20µA @ 1V,

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BZT52C13 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C13 RHG

Teilbestand: 182

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 90nA @ 8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C56 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C56 RHG

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 200 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 39.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C4V3S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C4V3S RRG

Teilbestand: 194

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2.7µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZX84C24 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C24 RFG

Teilbestand: 227

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 70 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 16.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B20 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B20 RHG

Teilbestand: 213

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52B5V1S RRG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B5V1S RRG

Teilbestand: 251

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1.8µA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C20 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C20 RHG

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 45nA @ 14V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZT52C8V2-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52C8V2-G RHG

Teilbestand: 221

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 350mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 700nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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BZT52B2V7 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZT52B2V7 RHG

Teilbestand: 215

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 18µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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BZX84C8V2 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BZX84C8V2 RFG

Teilbestand: 265

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 700nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10mA,

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