Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 21

TPC8092,LQ(S

Teilbestand: 100135

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 7.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J36FS,LF

Teilbestand: 126552

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 330mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J35CT,L3F

Teilbestand: 5771

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15ACT,L3F

Teilbestand: 154142

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8129,LQ(S

Teilbestand: 141142

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J56ACT,L3F

Teilbestand: 107046

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 390 mOhm @ 800mA, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN6R003NL,LQ

Teilbestand: 195389

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 13.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K324R,LF

Teilbestand: 151670

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6H19NU,LF

Teilbestand: 184800

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 185 mOhm @ 1A, 8V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6111(TE85L,F,M)

Teilbestand: 154704

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN8R903NL,LQ

Teilbestand: 183096

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K2615TU,LF

Teilbestand: 7271

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15CT(TPL3)

Teilbestand: 112077

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN14006NH,L1Q

Teilbestand: 180682

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 6.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J207FE,LF

Teilbestand: 104477

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 251 mOhm @ 650mA, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56MFV,L3F

Teilbestand: 128522

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN22006NH,LQ

Teilbestand: 147480

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 4.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1600ANH,L1Q

Teilbestand: 143024

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 8.5A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K345R,LF

Teilbestand: 112097

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J117TU,LF

Teilbestand: 180597

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 117 mOhm @ 1A, 10V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R203NC,L1Q

Teilbestand: 167458

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 11.5A, 10V,

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