Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

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Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

TLP785(GRH-TP6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(GRH-TP6,F)

Teilbestand: 115313

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 150% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP292-4(V4GBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4GBTPE

Teilbestand: 151727

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GR,SE

Teilbestand: 5750

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 150% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(BLL,E

Teilbestand: 163619

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP281(GB-TP,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP281(GB-TP,F)

Teilbestand: 5791

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP385(D4GB-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4GB-TR,E

Teilbestand: 5917

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP383(D4GB-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP383(D4GB-TL,E

Teilbestand: 5886

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3906(TPR,E

Teilbestand: 116411

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 200µs, 300µs,

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TLP291(GRL-TP,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(GRL-TP,SE

Teilbestand: 146803

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 200% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3905(TPL,E

Teilbestand: 5960

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 300µs, 1ms,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-BL,E

Teilbestand: 5870

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2301(E

Teilbestand: 5921

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(TPR,E

Teilbestand: 2623

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(E

Teilbestand: 5818

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP385(GRL-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRL-TPL,E

Teilbestand: 5891

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 200% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(TP,E)

Teilbestand: 5794

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 7µs, 7µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 4µs, 7µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(Y,E

Teilbestand: 5891

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 150% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-GB,E

Teilbestand: 5850

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRL,E

Teilbestand: 5736

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 200% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2703(TP,E

Teilbestand: 132157

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 900% @ 500µA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 8000% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 330ns, 2.5µs,

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TLP385(D4GR-TL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4GR-TL,E

Teilbestand: 5915

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP785(D4GL-T6,F

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(D4GL-T6,F

Teilbestand: 5858

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP385(D4-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4-TPL,E

Teilbestand: 2617

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2703(E

Teilbestand: 82240

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 900% @ 500µA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 8000% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 330ns, 2.5µs,

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TLP388(D4GB-TR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP388(D4GB-TR,E

Teilbestand: 2603

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626(TP1,F)

Teilbestand: 132108

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 1200% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 10µs, 8µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 8µs, 8µs,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP624-4(F)

Teilbestand: 5787

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 1200% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 10µs, 8µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 8µs, 8µs,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(BL,F)

Teilbestand: 5496

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP759(D4-TP1,J,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP759(D4-TP1,J,F)

Teilbestand: 5610

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 200ns, 300ns,

Wunschzettel

TLP385(D4BLLTL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(D4BLLTL,E

Teilbestand: 5590

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

TLP293(GRH-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293(GRH-TPL,E

Teilbestand: 195548

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 150% @ 500µA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP781(GB,F)

Teilbestand: 5676

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

TLP290(GB-TP,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(GB-TP,E)

Teilbestand: 5572

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 7µs, 7µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 4µs, 7µs,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP590B(C,F)

Teilbestand: 33240

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 200µs, 1ms,

Wunschzettel

TLP293-4(GBTPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(GBTPR,E

Teilbestand: 160482

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP3905(E

Teilbestand: 5636

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 300µs, 1ms,

Wunschzettel

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