Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

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Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

TLP185(GB-TPL,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPL,E)

Teilbestand: 5219

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 9µs, 9µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 5µs, 9µs,

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TLP385(GRL-TPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP385(GRL-TPR,E

Teilbestand: 5247

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 200% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP184(Y-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(Y-TPL,SE

Teilbestand: 167431

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 150% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GR,SE

Teilbestand: 5214

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP185(GB-TPR,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GB-TPR,SE

Teilbestand: 5227

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP185(BL-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(BL-TPL,SE

Teilbestand: 139225

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291(SE

Teilbestand: 5265

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(GR,SE

Teilbestand: 5181

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP131(GB-TPR,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP131(GB-TPR,F)

Teilbestand: 5288

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP182(GR-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP182(GR-TPL,E

Teilbestand: 184569

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 300% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP184(GB,SE

Teilbestand: 106220

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP292-4(4LGBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(4LGBTPE

Teilbestand: 151695

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 500µA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP293-4(MBHATLE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(MBHATLE

Teilbestand: 160521

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP759(LF1,J,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP759(LF1,J,F)

Teilbestand: 5281

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 200ns, 300ns,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP331(BV,F)

Teilbestand: 66605

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 200% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 1200% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 10µs, 8µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 8µs, 8µs,

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TLP183(GRL-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP183(GRL-TPL,E

Teilbestand: 122091

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 200% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP290(SE

Teilbestand: 5293

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(V4,E

Teilbestand: 38024

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 800ns, 800ns (Max),

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP126(F)

Teilbestand: 55569

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 1200% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 10µs, 8µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 8µs, 8µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP2409(F)

Teilbestand: 38421

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 800ns, 800ns (Max),

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TLP293-4(V4-LA,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(V4-LA,E

Teilbestand: 53487

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 500µA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4,E

Teilbestand: 50532

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

TLP292-4(V4-LA,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-LA,E

Teilbestand: 50590

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 500µA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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TLP291-4(V4GBTPE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP291-4(V4GBTPE

Teilbestand: 13216

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 2500Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 400% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP124F

Teilbestand: 77911

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 1200% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 10µs, 8µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 8µs, 8µs,

Wunschzettel

TLP292-4(LGBTP,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(LGBTP,E

Teilbestand: 151709

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 500µA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP626(F)

Teilbestand: 47627

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 1mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 1200% @ 1mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 10µs, 8µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 8µs, 8µs,

Wunschzettel

TLP185(Y-TPL,SE

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP185(Y-TPL,SE

Teilbestand: 134050

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 150% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP785(Y,F)

Teilbestand: 107781

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 5000Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 150% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(GB,E

Teilbestand: 50554

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

TLP292-4(GBTPR,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(GBTPR,E

Teilbestand: 151711

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(E

Teilbestand: 50537

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 50% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP293-4(LGB,E

Teilbestand: 53509

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 500µA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 500µA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP109(E

Teilbestand: 12167

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 20% @ 16mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 800ns, 800ns (Max),

Wunschzettel

TLP292(GB-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292(GB-TPL,E

Teilbestand: 145868

Anzahl der Kanäle: 1, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

Wunschzettel

TLP292-4(V4-GB,E

Toshiba Semiconductor and Storage

TLP292-4(V4-GB,E

Teilbestand: 50580

Anzahl der Kanäle: 4, Spannung - Isolierung: 3750Vrms, Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min): 100% @ 5mA, Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.): 600% @ 5mA, Einschalt-/Ausschaltzeit (Typ): 3µs, 3µs, Anstiegs-/Abfallzeit (Typ): 2µs, 3µs,

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