Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 47GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 31dB, Leistung max: 160mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 210mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 13.5dB, Leistung max: 380mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 28dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 46GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 8B ~ 30.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 29dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 13V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz, Leistung max: 120mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 400MHz ~ 1.8GHz, Leistung max: 50mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 13.5dB, Leistung max: 580mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Leistung max: 450mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.8V, Häufigkeit - Übergang: 22GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 26.5dB, Leistung max: 230mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 16.5dB, Leistung max: 700mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 46GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 75mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 24GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 450mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 16dB, Leistung max: 580mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 19dB, Leistung max: 700mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 175mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 20.5dB, Leistung max: 580mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 450mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 37GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 21.5dB, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22.5dB, Leistung max: 55mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 21.5dB, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 65GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 185mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22.5dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 235MHz, Leistung max: 340W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 1.1GHz, Leistung max: 350mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Leistung max: 625mW,
