Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

AT-32032-TR2G

AT-32032-TR2G

Teilbestand: 195254

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 15dB, Leistung max: 200mW,

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AT-41511-TR2G

AT-41511-TR2G

Teilbestand: 7185

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 15.5dB, Leistung max: 225mW,

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AT-30533-TR2G

AT-30533-TR2G

Teilbestand: 147147

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 100mW,

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AT-31011-TR2G

AT-31011-TR2G

Teilbestand: 177381

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 150mW,

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AT-30511-TR2G

AT-30511-TR2G

Teilbestand: 116220

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 16dB, Leistung max: 100mW,

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AT-32011-TR2G

AT-32011-TR2G

Teilbestand: 166753

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 14dB, Leistung max: 200mW,

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AT-64023

AT-64023

Teilbestand: 7209

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Leistung max: 3W,

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AT-42085G

AT-42085G

Teilbestand: 7139

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 13.5dB, Leistung max: 500mW,

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AT-42035G

AT-42035G

Teilbestand: 7183

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 13.5dB, Leistung max: 600mW,

Wunschzettel.
AT-41435G

AT-41435G

Teilbestand: 7149

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 18.5dB, Leistung max: 500mW,

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AT-41533-BLKG

AT-41533-BLKG

Teilbestand: 7135

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 14.5dB, Leistung max: 225mW,

Wunschzettel.
AT-31011-BLKG

AT-31011-BLKG

Teilbestand: 128760

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 150mW,

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AT-32032-BLKG

AT-32032-BLKG

Teilbestand: 175193

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 15dB, Leistung max: 200mW,

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AT-41511-BLKG

AT-41511-BLKG

Teilbestand: 4775

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 15.5dB, Leistung max: 225mW,

Wunschzettel.
AT-32033-BLKG

AT-32033-BLKG

Teilbestand: 168929

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 12.5dB, Leistung max: 200mW,

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AT-31033-BLKG

AT-31033-BLKG

Teilbestand: 133828

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 11dB, Leistung max: 150mW,

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AT-32063-BLKG

AT-32063-BLKG

Teilbestand: 119860

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 14.5dB, Leistung max: 150mW,

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AT-41586-BLKG

AT-41586-BLKG

Teilbestand: 7221

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 17dB, Leistung max: 500mW,

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AT-42070

AT-42070

Teilbestand: 7168

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 14dB, Leistung max: 600mW,

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AT-42036-BLKG

AT-42036-BLKG

Teilbestand: 7190

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 13.5dB, Leistung max: 600mW,

Wunschzettel.
AT-42010

AT-42010

Teilbestand: 7133

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 13.5dB, Leistung max: 600mW,

Wunschzettel.
AT-64020

AT-64020

Teilbestand: 4733

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Leistung max: 3W,

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AT-42086-BLKG

AT-42086-BLKG

Teilbestand: 7157

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 13dB, Leistung max: 500mW,

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AT-41486-BLKG

AT-41486-BLKG

Teilbestand: 7164

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 18dB, Leistung max: 500mW,

Wunschzettel.
AT-41486-BLK

AT-41486-BLK

Teilbestand: 7167

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 18dB, Leistung max: 500mW,

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AT-41533-TR1G

AT-41533-TR1G

Teilbestand: 4754

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 14.5dB, Leistung max: 225mW,

Wunschzettel.
AT-41511-TR1G

AT-41511-TR1G

Teilbestand: 7169

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 15.5dB, Leistung max: 225mW,

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AT-41532-TR1G

AT-41532-TR1G

Teilbestand: 7148

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 15.5dB, Leistung max: 225mW,

Wunschzettel.
AT-32033-TR1G

AT-32033-TR1G

Teilbestand: 152605

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 12.5dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
AT-32063-TR1G

AT-32063-TR1G

Teilbestand: 136833

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 14.5dB, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel.
AT-32032-TR1G

AT-32032-TR1G

Teilbestand: 173328

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 15dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
AT-41533-TR1

AT-41533-TR1

Teilbestand: 7075

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 14.5dB, Leistung max: 225mW,

Wunschzettel.
AT-41532-TR1

AT-41532-TR1

Teilbestand: 7124

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 15.5dB, Leistung max: 225mW,

Wunschzettel.
AT-41511-TR1

AT-41511-TR1

Teilbestand: 7150

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 15.5dB, Leistung max: 225mW,

Wunschzettel.
AT-32063-TR1

AT-32063-TR1

Teilbestand: 7154

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 14.5dB, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel.
AT-32032-TR1

AT-32032-TR1

Teilbestand: 5479

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 15dB, Leistung max: 200mW,

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