Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 12.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 14dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Leistung max: 3W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 15.5dB, Leistung max: 225mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 14dB ~ 16dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 15dB, Leistung max: 580mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 16dB, Leistung max: 280mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 40GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 160mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.7V, Häufigkeit - Übergang: 60GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz, Dazugewinnen: 26dB, Leistung max: 120mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 65GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 185mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.8V, Häufigkeit - Übergang: 22GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 26.5dB, Leistung max: 230mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 28.5dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 9.7dB, Leistung max: 700mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 27dB, Leistung max: 160mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 16.5dB, Leistung max: 700mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 24GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 450mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 175mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz, Leistung max: 280mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 8.5dB ~30.5dB, Leistung max: 160mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 17.5dB ~ 21dB, Leistung max: 175mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 75mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 43GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 30.5dB, Leistung max: 100mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz, Leistung max: 234mW,
