Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

BFU730F,115

Teilbestand: 125779

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 55GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz, Leistung max: 197mW,

BFU760F,115

Teilbestand: 170210

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz, Leistung max: 220mW,

BFU910FX

Teilbestand: 149453

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9.5V, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 300mW,

BFU520AVL

Teilbestand: 114689

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Leistung max: 450mW,

BFU550AVL

Teilbestand: 189334

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 450mW,

BFU580GX

Teilbestand: 168902

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB, Leistung max: 1W,

BFU768F,115

Teilbestand: 191811

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz, Dazugewinnen: 13.1dB, Leistung max: 220mW,

BFU530AVL

Teilbestand: 181084

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 450mW,

BFU610F,115

Teilbestand: 105019

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 15GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 23.5dB, Leistung max: 136mW,

BFU550WF

Teilbestand: 176843

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 450mW,

BFU530WF

Teilbestand: 178922

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Leistung max: 450mW,

BFU520XVL

Teilbestand: 157681

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 450mW,

BFU530XRVL

Teilbestand: 139335

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 16.5dB, Leistung max: 450mW,

BFU530XAR

Teilbestand: 147921

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 450mW,

BFU530VL

Teilbestand: 183729

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 450mW,

BFU550XVL

Teilbestand: 181661

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 450mW,

BFU520WF

Teilbestand: 181366

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 450mW,

BFU520R

Teilbestand: 127243

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 450mW,

BFU550XRR

Teilbestand: 134316

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 450mW,

BFU520YX

Teilbestand: 142448

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 450mW,

BFU520YF

Teilbestand: 185193

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 450mW,

BFU530WX

Teilbestand: 189349

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Leistung max: 450mW,

BFU530XRR

Teilbestand: 145840

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 450mW,

BFS25A,115

Teilbestand: 142818

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz, Leistung max: 32mW,

BFU530XVL

Teilbestand: 115633

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 16.5dB, Leistung max: 450mW,

BFR193FH6327XTSA1

Teilbestand: 113664

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Leistung max: 580mW,

BFP640FH6327XTSA1

Teilbestand: 171129

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 40GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 200mW,

BFP843FH6327XTSA1

Teilbestand: 109623

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.25V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 25dB, Leistung max: 125mW,

BFP640FESDH6327XTSA1

Teilbestand: 184444

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 46GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 8B ~ 30.5dB, Leistung max: 200mW,

BFR360FH6765XTSA1

Teilbestand: 116084

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 210mW,

BFP720FESDH6327XTSA1

Teilbestand: 170365

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 29dB, Leistung max: 100mW,

BFP620FH7764XTSA1

Teilbestand: 108230

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 65GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 21dB ~ 10dB, Leistung max: 185mW,

BFR380FH6327XTSA1

Teilbestand: 127569

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 13.5dB, Leistung max: 380mW,

BFP520FH6327XTSA1

Teilbestand: 146906

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22.5dB, Leistung max: 100mW,

BFP720FH6327XTSA1

Teilbestand: 159839

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 28dB, Leistung max: 100mW,

BFP405FH6327XTSA1

Teilbestand: 160725