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RFQs / Order.
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Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

BFU520VL
NXP USA Inc.

BFU520VL

Teilbestand: 141854

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 450mW,

Wunschzettel.
BFU550VL
NXP USA Inc.

BFU550VL

Teilbestand: 150763

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 450mW,

Wunschzettel.
BFU530R
NXP USA Inc.

BFU530R

Teilbestand: 159978

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 450mW,

Wunschzettel.
BFU550XRVL
NXP USA Inc.

BFU550XRVL

Teilbestand: 173707

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 450mW,

Wunschzettel.
BFU520XRVL
NXP USA Inc.

BFU520XRVL

Teilbestand: 112672

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 450mW,

Wunschzettel.
BFU550XAR
NXP USA Inc.

BFU550XAR

Teilbestand: 101903

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz, Dazugewinnen: 21.5dB, Leistung max: 450mW,

Wunschzettel.
BFU520XAR
NXP USA Inc.

BFU520XAR

Teilbestand: 173199

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 450mW,

Wunschzettel.
BFU580QX
NXP USA Inc.

BFU580QX

Teilbestand: 129653

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 8.5dB, Leistung max: 1W,

Wunschzettel.
BFU590QX
NXP USA Inc.

BFU590QX

Teilbestand: 155934

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 2W,

Wunschzettel.
BFT25,215
NXP USA Inc.

BFT25,215

Teilbestand: 162781

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 2.3GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz, Leistung max: 30mW,

Wunschzettel.
BFU660F,115
NXP USA Inc.

BFU660F,115

Teilbestand: 152570

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 21GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 21dB, Leistung max: 225mW,

Wunschzettel.
BFU520AR
NXP USA Inc.

BFU520AR

Teilbestand: 179821

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 450mW,

Wunschzettel.
BFQ18A,115
NXP USA Inc.

BFQ18A,115

Teilbestand: 171694

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Leistung max: 1W,

Wunschzettel.
BFU520XRR
NXP USA Inc.

BFU520XRR

Teilbestand: 104331

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 450mW,

Wunschzettel.
BFU710F,115
NXP USA Inc.

BFU710F,115

Teilbestand: 105644

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 43GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz, Leistung max: 136mW,

Wunschzettel.
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Infineon Technologies

BFR840L3RHESDE6327XTSA1

Teilbestand: 193871

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.6V, Häufigkeit - Übergang: 75GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 27dB, Leistung max: 75mW,

Wunschzettel.
BFR380L3E6327XTMA1
Infineon Technologies

BFR380L3E6327XTMA1

Teilbestand: 129492

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 7.5dB ~ 16.5dB, Leistung max: 380mW,

Wunschzettel.
BFR193L3E6327XTMA1
Infineon Technologies

BFR193L3E6327XTMA1

Teilbestand: 129

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 19dB, Leistung max: 580mW,

Wunschzettel.
BFR360L3E6765XTMA1
Infineon Technologies

BFR360L3E6765XTMA1

Teilbestand: 144

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 11.5dB ~ 16dB, Leistung max: 210mW,

Wunschzettel.
BFR460L3E6327XTMA1
Infineon Technologies

BFR460L3E6327XTMA1

Teilbestand: 158

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.8V, Häufigkeit - Übergang: 22GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
BFP182WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BFP182WE6327HTSA1

Teilbestand: 7324

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 250mW,

Wunschzettel.
BF799WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BF799WH6327XTSA1

Teilbestand: 7305

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Leistung max: 280mW,

Wunschzettel.
BFG135AE6327XT
Infineon Technologies

BFG135AE6327XT

Teilbestand: 7307

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 14dB, Leistung max: 1W,

Wunschzettel.
BF776H6327XTSA1
Infineon Technologies

BF776H6327XTSA1

Teilbestand: 137870

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 46GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
BFP520H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP520H6327XTSA1

Teilbestand: 100497

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22.5dB, Leistung max: 100mW,

Wunschzettel.
BFR181E6327HTSA1
Infineon Technologies

BFR181E6327HTSA1

Teilbestand: 9961

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Leistung max: 175mW,

Wunschzettel.
BFP760H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP760H6327XTSA1

Teilbestand: 146729

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz, Dazugewinnen: 16.5dB ~ 29dB, Leistung max: 240mW,

Wunschzettel.
BFR340FH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFR340FH6327XTSA1

Teilbestand: 137024

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 28dB, Leistung max: 75mW,

Wunschzettel.
BFP780H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP780H6327XTSA1

Teilbestand: 94012

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6.1V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz, Dazugewinnen: 27dB, Leistung max: 600mW,

Wunschzettel.
BFP840FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP840FESDH6327XTSA1

Teilbestand: 106450

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.6V, Häufigkeit - Übergang: 85GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz, Dazugewinnen: 35dB, Leistung max: 75mW,

Wunschzettel.
BFP420FH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP420FH6327XTSA1

Teilbestand: 108175

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19.5dB, Leistung max: 160mW,

Wunschzettel.
BFP843H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP843H6327XTSA1

Teilbestand: 125188

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.25V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 24.5dB, Leistung max: 125mW,

Wunschzettel.
BFP640ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP640ESDH6327XTSA1

Teilbestand: 151539

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 46GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 2dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 30dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
BFP840ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP840ESDH6327XTSA1

Teilbestand: 179204

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.25V, Häufigkeit - Übergang: 80GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Leistung max: 75mW,

Wunschzettel.
BFS17NQTA
Diodes Incorporated

BFS17NQTA

Teilbestand: 161551

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 11V, Häufigkeit - Übergang: 3.2GHz, Leistung max: 310mW,

Wunschzettel.
BFY90
Central Semiconductor Corp

BFY90

Teilbestand: 11028

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5.5dB @ 800MHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.