Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

BFQ19SH6327XTSA1

BFQ19SH6327XTSA1

Teilbestand: 126813

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 1W,

Wunschzettel.
BFQ790H6327XTSA1

BFQ790H6327XTSA1

Teilbestand: 72212

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6.1V, Häufigkeit - Übergang: 1.85GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 1.5W,

Wunschzettel.
BFP196WH6327XTSA1

BFP196WH6327XTSA1

Teilbestand: 150199

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 19dB, Leistung max: 700mW,

Wunschzettel.
BFR182WH6327XTSA1

BFR182WH6327XTSA1

Teilbestand: 105653

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 250mW,

Wunschzettel.
BFS17WH6327XTSA1

BFS17WH6327XTSA1

Teilbestand: 150747

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Leistung max: 280mW,

Wunschzettel.
BFP740FH6327XTSA1

BFP740FH6327XTSA1

Teilbestand: 143665

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 27.5dB, Leistung max: 160mW,

Wunschzettel.
BFP193E6327HTSA1

BFP193E6327HTSA1

Teilbestand: 16263

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 18dB, Leistung max: 580mW,

Wunschzettel.
BFP740FESDH6327XTSA1

BFP740FESDH6327XTSA1

Teilbestand: 115243

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 47GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 31dB, Leistung max: 160mW,

Wunschzettel.
BFP405H6327XTSA1

BFP405H6327XTSA1

Teilbestand: 104690

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 75mW,

Wunschzettel.
BFP193WH6327XTSA1

BFP193WH6327XTSA1

Teilbestand: 124410

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 20.5dB, Leistung max: 580mW,

Wunschzettel.
BFR720L3RHE6327XTSA1

BFR720L3RHE6327XTSA1

Teilbestand: 7258

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 80mW,

Wunschzettel.
BFR92WH6327XTSA1

BFR92WH6327XTSA1

Teilbestand: 7228

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 11.5dB ~ 17dB, Leistung max: 280mW,

Wunschzettel.
BF799E6327HTSA1

BF799E6327HTSA1

Teilbestand: 7177

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Leistung max: 280mW,

Wunschzettel.
BFP 405 H6433

BFP 405 H6433

Teilbestand: 7186

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 75mW,

Wunschzettel.
BFG35,115

BFG35,115

Teilbestand: 162750

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Leistung max: 1W,

Wunschzettel.
BFU630F,115

BFU630F,115

Teilbestand: 152560

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 21GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 22.5dB, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel.
BFU690F,115

BFU690F,115

Teilbestand: 137040

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 18GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 15.5dB ~ 18.5dB, Leistung max: 230mW,

Wunschzettel.
BFU590GX

BFU590GX

Teilbestand: 122117

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 2W,

Wunschzettel.
BFR94AW,115

BFR94AW,115

Teilbestand: 7320

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,

Wunschzettel.
BFU725F,115

BFU725F,115

Teilbestand: 4739

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 70GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 24dB, Leistung max: 136mW,

Wunschzettel.
BFR93AW,135

BFR93AW,135

Teilbestand: 7316

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,

Wunschzettel.
BLS3135-65,114

BLS3135-65,114

Teilbestand: 7357

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 200W,

Wunschzettel.
BLS3135-50,114

BLS3135-50,114

Teilbestand: 7282

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 80W,

Wunschzettel.
BLS3135-20,114

BLS3135-20,114

Teilbestand: 7349

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 80W,

Wunschzettel.
BLS2731-10,114

BLS2731-10,114

Teilbestand: 7299

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 145W,

Wunschzettel.
BLS3135-10,114

BLS3135-10,114

Teilbestand: 7297

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 34W,

Wunschzettel.
BFG590,215

BFG590,215

Teilbestand: 7274

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Leistung max: 400mW,

Wunschzettel.
BLT70,115

BLT70,115

Teilbestand: 7299

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Leistung max: 2.1W,

Wunschzettel.
BF240,112

BF240,112

Teilbestand: 7272

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Leistung max: 300mW,

Wunschzettel.
BFS540,115

BFS540,115

Teilbestand: 7287

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz, Leistung max: 500mW,

Wunschzettel.
BFG540/XR,215

BFG540/XR,215

Teilbestand: 7236

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Leistung max: 400mW,

Wunschzettel.
BFR93AW,115

BFR93AW,115

Teilbestand: 7180

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,

Wunschzettel.
BFG540W/XR,135

BFG540W/XR,135

Teilbestand: 7229

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Leistung max: 500mW,

Wunschzettel.
BFG25AW/X,115

BFG25AW/X,115

Teilbestand: 7222

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz, Leistung max: 500mW,

Wunschzettel.
BFS17NTA

BFS17NTA

Teilbestand: 157726

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 11V, Häufigkeit - Übergang: 3.2GHz, Leistung max: 330mW,

Wunschzettel.
BFR92ALT1

BFR92ALT1

Teilbestand: 4797

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz, Leistung max: 273mW,

Wunschzettel.