Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 1W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6.1V, Häufigkeit - Übergang: 1.85GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.6dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 1.5W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 19dB, Leistung max: 700mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Leistung max: 280mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 27.5dB, Leistung max: 160mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 18dB, Leistung max: 580mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 47GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 31dB, Leistung max: 160mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 23dB, Leistung max: 75mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 13.5dB ~ 20.5dB, Leistung max: 580mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 45GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 80mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 11.5dB ~ 17dB, Leistung max: 280mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz, Leistung max: 280mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Leistung max: 1W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 21GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 22.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 18GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz, Dazugewinnen: 15.5dB ~ 18.5dB, Leistung max: 230mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 70GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 24dB, Leistung max: 136mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 200W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 80W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.1GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 145W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 3.5GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 34W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Leistung max: 2.1W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Leistung max: 300mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Leistung max: 400mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 11V, Häufigkeit - Übergang: 3.2GHz, Leistung max: 330mW,
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 500MHz, Leistung max: 273mW,
