Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.8V, Häufigkeit - Übergang: 22GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 26.5dB, Leistung max: 230mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 210mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 40GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19.5dB, Leistung max: 160mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 39GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 40mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 14.5dB, Leistung max: 210mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Leistung max: 280mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz, Leistung max: 280mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 450mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 450mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 19dB, Leistung max: 450mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 12dB ~ 18dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 22dB, Leistung max: 250mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 175mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 37GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 21.5dB, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.7V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Dazugewinnen: 24.5dB, Leistung max: 160mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 42GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 21.5dB, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 700MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Leistung max: 625mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 17GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz, Dazugewinnen: 20dB ~ 22dB, Leistung max: 16mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 60mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 135mW,
Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Leistung max: 1W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz, Leistung max: 500mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 450mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9.5V, Häufigkeit - Übergang: 900MHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3V, Häufigkeit - Übergang: 53GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz, Dazugewinnen: 15.8dB, Leistung max: 160mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.8V, Häufigkeit - Übergang: 55GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 24dB, Leistung max: 136mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 18.5dB, Leistung max: 450mW,
