Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

UMIL3B

Teilbestand: 5511

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 11W,

JTDB75

Teilbestand: 403

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 8.2dB, Leistung max: 220W,

MS2202

Teilbestand: 7277

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 10W,

MRF581AG

Teilbestand: 7185

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

DME800

Teilbestand: 240

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 10dB, Leistung max: 2500W,

MC1331

Teilbestand: 7276

MS1402

Teilbestand: 1349

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 450MHz ~ 512MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 5W,

MSC1175M

Teilbestand: 343

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 400W,

MSC1090M

Teilbestand: 4810

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 220W,

MS2473A

Teilbestand: 7306

ITC1100

Teilbestand: 172

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 10.5dB, Leistung max: 3400W,

MS2321A

Teilbestand: 7354

SD1015

Teilbestand: 7325

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 10W,

MS2266

Teilbestand: 7283

TCS1200

Teilbestand: 117

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz, Dazugewinnen: 10.2dBd, Leistung max: 2095W,

MS2562

Teilbestand: 7301

MSC80205

Teilbestand: 7316

MRF5812

Teilbestand: 7299

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

MS1261

Teilbestand: 1022

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 34W,

MS3455

Teilbestand: 7264

MS2207

Teilbestand: 350

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 880W,

NE68133-T1B-R34-A

Teilbestand: 7231

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,

NE202930-A

Teilbestand: 7220

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 150mW,

NE46234-SE-AZ

Teilbestand: 4789

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8.3dB, Leistung max: 1.8W,

NESG2107M33-T3-A

Teilbestand: 7154

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 10dB, Leistung max: 130mW,

NE46234-T1-AZ

Teilbestand: 7257

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8.3dB, Leistung max: 1.8W,

MT3S111(TE85L,F)

Teilbestand: 91

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 11.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 700mW,

MT3S111P(TE12L,F)

Teilbestand: 18982

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10.5dB, Leistung max: 1W,

PH3134-30S

Teilbestand: 282

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 30W,

MRF10031

Teilbestand: 643

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 30W,

LM3046MX

Teilbestand: 7192

Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz, Leistung max: 750mW,

MCH3007-TL-H

Teilbestand: 191780

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 350mW,

MPSH17_D75Z

Teilbestand: 7207

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 350mW,

NSVF4009SG4T1G

Teilbestand: 158529

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 120mW,

MCH4021-TL-E

Teilbestand: 132141

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 16GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 400mW,

HFA3102BZ96

Teilbestand: 26570

Transistortyp: 6 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Dazugewinnen: 12.4dB ~ 17.5dB, Leistung max: 250mW,