Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MS2502W

Teilbestand: 4760

S200-50A

Teilbestand: 7331

TPR700

Teilbestand: 266

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 6.7dB, Leistung max: 2050W,

MRF8372MR1

Teilbestand: 5529

MRF553

Teilbestand: 7320

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 3W,

MS3456

Teilbestand: 4737

MRF5812MR1

Teilbestand: 7247

MRF4427GR1

Teilbestand: 7224

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,

MS2870

Teilbestand: 7280

MDS60L

Teilbestand: 349

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 120W,

MS2361

Teilbestand: 7206

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 87.5W,

TAN350

Teilbestand: 210

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 7.5dB, Leistung max: 1450W,

MS2553C

Teilbestand: 685

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 10.5dB, Leistung max: 175W,

UMIL3

Teilbestand: 1017

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 11.8db ~ 13dB, Leistung max: 11W,

MC1331-3

Teilbestand: 7291

SD1444

Teilbestand: 3821

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 450MHz ~ 512MHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 5W,

MS1512

Teilbestand: 1355

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 860MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 19.4W,

DME500

Teilbestand: 286

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6dB ~ 6.5dB, Leistung max: 1700W,

NE68039-A

Teilbestand: 7362

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 200mW,

NE68033-T1B-R45-A

Teilbestand: 7186

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 200mW,

NESG2046M33-T3-A

Teilbestand: 7204

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 18GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 11.5dB, Leistung max: 130mW,

NESG2030M04-T2-A

Teilbestand: 4802

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.3V, Häufigkeit - Übergang: 60GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 80mW,

NESG2107M33-A

Teilbestand: 7196

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 10dB, Leistung max: 130mW,

UPA802T-T1-A

Teilbestand: 7213

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,

LM3046MX/NOPB

Teilbestand: 159965

Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz, Leistung max: 750mW,

START499D

Teilbestand: 7162

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 4.5V, Dazugewinnen: 13dB ~ 14dB, Leistung max: 1.7W,

MPS5179RLRAG

Teilbestand: 7170

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Leistung max: 200W,

MPSH11_D27Z

Teilbestand: 7147

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

MPSH81_D27Z

Teilbestand: 7176

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 350mW,

HFA3096BZ96

Teilbestand: 22532

Transistortyp: 3 NPN + 2 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, 15V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

HFA3135IHZ96

Teilbestand: 23559

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz,

MRF321

Teilbestand: 1056

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 33V, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 10W,

PH3134-55L

Teilbestand: 284

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 55W,

PH2729-130M

Teilbestand: 246

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 63V, Dazugewinnen: 9.73dB ~ 8.85dB, Leistung max: 130W,

MRF392

Teilbestand: 774

Transistortyp: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 125W,

CM5160

Teilbestand: 9460

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Leistung max: 1W,