Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

BFR193WH6327XTSA1

Teilbestand: 183155

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 16dB, Leistung max: 580mW,

BFR93AE6327HTSA1

Teilbestand: 45159

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 14.5dB, Leistung max: 300mW,

BFR106E6327HTSA1

Teilbestand: 45207

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz, Dazugewinnen: 8.5dB ~ 13dB, Leistung max: 700mW,

BFR193E6327HTSA1

Teilbestand: 58135

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10dB ~ 15dB, Leistung max: 580mW,

BFR93AWH6327XTSA1

Teilbestand: 167714

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Dazugewinnen: 10.5dB ~ 15.5dB, Leistung max: 300mW,

BFR360FH6327XTSA1

Teilbestand: 193913

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 15.5dB, Leistung max: 210mW,

BFP420H6327XTSA1

Teilbestand: 152889

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 25GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 160mW,

BFP540H6327XTSA1

Teilbestand: 176107

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 30GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 250mW,

BFS17PE6327HTSA1

Teilbestand: 163553

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 1.4GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Leistung max: 280mW,

BFR843EL3E6327XTSA1

Teilbestand: 193829

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.6V, Dazugewinnen: 25.5dB, Leistung max: 125mW,

BFR340L3E6327XTMA1

Teilbestand: 117158

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 9V, Häufigkeit - Übergang: 14GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 60mW,

BFU550R

Teilbestand: 128899

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 450mW,

BFU550AR

Teilbestand: 120050

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Dazugewinnen: 18dB, Leistung max: 450mW,

BFT25A,215

Teilbestand: 117253

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz, Leistung max: 32mW,

BFU668F,115

Teilbestand: 128327

HFA3128BZ

Teilbestand: 7206

Transistortyp: 5 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

HFA3128RZ

Teilbestand: 7207

Transistortyp: 5 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

MS2225H

Teilbestand: 7263

MS2575A

Teilbestand: 7317

MS2214

Teilbestand: 7258

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 300W,

TPR1000

Teilbestand: 146

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 6dB, Leistung max: 2900W,

MS2211

Teilbestand: 7282

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 48V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 9.3dB, Leistung max: 25W,

JANTXV2N2857UB

Teilbestand: 976

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 200mW,

MRF5812GR1

Teilbestand: 7175

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

MS2284

Teilbestand: 7279

MDS400

Teilbestand: 264

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 1450W,

SD1013-03

Teilbestand: 7261

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 13W,

MS1014

Teilbestand: 7304

MS2203

Teilbestand: 7214

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 10.8dB ~ 12.3dB, Leistung max: 5W,

MSC1175MA

Teilbestand: 7365

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8dB, Leistung max: 400W,

MRF10502

Teilbestand: 230

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 500W,

MRF327

Teilbestand: 1267

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 33V, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 80W,

NE66219-T1-A

Teilbestand: 7181

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 21GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 115mW,

UPA814T-A

Teilbestand: 7208

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Leistung max: 200mW,

MZ0912B100Y,114

Teilbestand: 7198

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.6dB, Leistung max: 290W,

LM3046M

Teilbestand: 84236

Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz, Leistung max: 750mW,