Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MRF555G

Teilbestand: 7247

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz, Dazugewinnen: 12.5dB, Leistung max: 3W,

SD1224

Teilbestand: 1317

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 7.6dB, Leistung max: 60W,

MS1030DE

Teilbestand: 4759

MS2552

Teilbestand: 323

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.7dB, Leistung max: 880W,

JTDB25

Teilbestand: 278

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.5dB, Leistung max: 97W,

MS1001

Teilbestand: 854

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 270W,

MS1019

Teilbestand: 7324

MS1004

Teilbestand: 552

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 14.5dB, Leistung max: 330W,

MRF553G

Teilbestand: 4770

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 3W,

MS1801

Teilbestand: 7255

MRF581G

Teilbestand: 7182

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

TPR400

Teilbestand: 415

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 7.27dB, Leistung max: 875W,

SD1019-02

Teilbestand: 4742

MRF5812R1

Teilbestand: 4769

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Dazugewinnen: 13dB ~ 15.5dB, Leistung max: 1.25W,

MRF553GT

Teilbestand: 7274

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 3W,

MS2091H

Teilbestand: 4771

MS2200

Teilbestand: 256

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 400MHz ~ 500MHz, Dazugewinnen: 9.7dB, Leistung max: 1167W,

MCH4015-TL-H

Teilbestand: 155772

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 450mW,

MSC2295-CT1G

Teilbestand: 7147

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Leistung max: 200mW,

NSVF6003SB6T1G

Teilbestand: 9977

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 800mW,

MPSH81_D75Z

Teilbestand: 7155

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 350mW,

MMBTH81_F080

Teilbestand: 4820

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 600MHz, Leistung max: 225mW,

NSVF2250WT1G

Teilbestand: 7147

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V,

UPA895TS-T3-A

Teilbestand: 7149

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 130mW,

NE856M03-A

Teilbestand: 4728

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Leistung max: 125mW,

NE85639-T1-R28-A

Teilbestand: 7258

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,

NE85633-R24-A

Teilbestand: 7149

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

NE68139-T1-A

Teilbestand: 7386

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 200mW,

NE68133-T1B-R35-A

Teilbestand: 7256

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,

NE85634-T1-RE-A

Teilbestand: 7189

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 1.2W,

NE68730-T1

Teilbestand: 58149

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Leistung max: 90mW,

MX0912B251Y,114

Teilbestand: 7164

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.215GHz, Dazugewinnen: 7.4dB, Leistung max: 690W,

PH2729-25M

Teilbestand: 370

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Dazugewinnen: 9.2dB, Leistung max: 70W,

MRF428

Teilbestand: 808

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 150W,

PH1090-175L

Teilbestand: 298

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Dazugewinnen: 8.58dB, Leistung max: 188W,

MT3S113P(TE12L,F)

Teilbestand: 4314

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.3V, Häufigkeit - Übergang: 7.7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 10.5dB, Leistung max: 1.6W,