Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MRF544

Teilbestand: 7226

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Häufigkeit - Übergang: 1.5GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 3.5W,

MRF586G

Teilbestand: 12277

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 17V, Häufigkeit - Übergang: 3GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 1W,

MRF553T

Teilbestand: 7300

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 3W,

UMIL100A

Teilbestand: 249

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 31V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz ~ 400MHz, Dazugewinnen: 7.2dB ~ 8.5dB, Leistung max: 270W,

MS2201

Teilbestand: 4799

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 10W,

MSC1350M

Teilbestand: 323

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 7.1dB, Leistung max: 720W,

SD1244-12H

Teilbestand: 7353

MS2554A

Teilbestand: 7333

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.2dB, Leistung max: 600W,

MRF586

Teilbestand: 7224

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 17V, Häufigkeit - Übergang: 3GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 1W,

MPA201

Teilbestand: 361

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 22V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 6W,

SD1853-02H

Teilbestand: 7277

JANTX2N2857UB

Teilbestand: 7260

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 21dB, Leistung max: 200mW,

MS2209

Teilbestand: 346

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 225MHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 220W,

TPR1000A

Teilbestand: 7322

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 6dB, Leistung max: 2900W,

SD1143-01

Teilbestand: 7305

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 20W,

JAN2N2857

Teilbestand: 7315

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 500MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz, Leistung max: 200mW,

MS2421

Teilbestand: 270

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.3dB, Leistung max: 875W,

MS2210A

Teilbestand: 7307

SD1013

Teilbestand: 7197

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Häufigkeit - Übergang: 150MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 13W,

MS2205

Teilbestand: 4755

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 9.5dB, Leistung max: 21.9W,

SD1372-06H

Teilbestand: 7273

MS1337

Teilbestand: 7281

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 70W,

MRF422

Teilbestand: 954

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 150W,

MCH4017-TL-H

Teilbestand: 129611

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17dB, Leistung max: 450mW,

MPS5179RLRPG

Teilbestand: 7205

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Leistung max: 200W,

NSVF4020SG4T1G

Teilbestand: 9943

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 8V, Häufigkeit - Übergang: 16GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 17.5dB, Leistung max: 400mW,

MPS5179_D75Z

Teilbestand: 7228

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 2GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz, Dazugewinnen: 15dB, Leistung max: 350mW,

MPSH10_D74Z

Teilbestand: 7235

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Leistung max: 350mW,

NE46134-T1

Teilbestand: 7332

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Leistung max: 2W,

NE67839-A

Teilbestand: 7264

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 200mW,

NE68133-T1B-A

Teilbestand: 7265

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,

UPA895TS-A

Teilbestand: 7190

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 130mW,

NE85633-T1B-R23-A

Teilbestand: 7211

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,

HFA3127RZ

Teilbestand: 9146

Transistortyp: 5 NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Leistung max: 150mW,

ON5089,115

Teilbestand: 174634

DSC9G02C0L

Teilbestand: 131088

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 650MHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Dazugewinnen: 24dB, Leistung max: 125mW,