Transistoren - JFETs

2SK880-BL(TE85L,F)

Teilbestand: 403

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 50V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 100nA,

2SK880GRTE85LF

Teilbestand: 100454

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 50V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 100nA,

2SK208-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 407

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK3320-BL(TE85L,F

Teilbestand: 9964

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA,

2SK2145-BL(TE85L,F

Teilbestand: 177718

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA,

2SK208-R(TE85L,F)

Teilbestand: 9975

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA,

2N4858A

Teilbestand: 18321

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

2N5116

Teilbestand: 10006

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

2N4393

Teilbestand: 3915

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1nA,

2N4859A

Teilbestand: 79531

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V, Stromaufnahme (Id) - Max: 250pA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA,

2N5433-2

Teilbestand: 3445

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 3nA,

2N5545JTX01

Teilbestand: 3487

2N5547JTXV01

Teilbestand: 3461

2N5432-2

Teilbestand: 3512

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 3nA,

2N4858JTXL02

Teilbestand: 3427

2N4391-E3

Teilbestand: 3495

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

2N4858JVP02

Teilbestand: 3466

2N6660JAN02

Teilbestand: 3444

2N4858JTVP02

Teilbestand: 3434

2N5460

Teilbestand: 3448

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA,

2SK932-22-TB-E

Teilbestand: 109722

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK2394-6-TB-E

Teilbestand: 173212

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA,

2SK3666-3-TB-E

Teilbestand: 199601

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK932-23-TB-E

Teilbestand: 187928

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK2394-7-TB-E

Teilbestand: 111814

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 16mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 300mV @ 100µA,

2SK545-11D-TB-E

Teilbestand: 155340

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 1µA,

2SK932-24-TB-E

Teilbestand: 189339

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100µA,

2SK715V

Teilbestand: 3479

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA,

2N5457_D74Z

Teilbestand: 3416

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

2SK2394-7-FRD-TB-E

Teilbestand: 3439

2SK3796-3-TL-E

Teilbestand: 3463

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA,

2SK01980RL

Teilbestand: 131089

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 20mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 10µA,

2N5116UB

Teilbestand: 3364

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

2N5114UB

Teilbestand: 3411

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA,

2N3822

Teilbestand: 3492

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 50V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4093

Teilbestand: 3449

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V,