Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - JFETs

2N4118A-2
Vishay Siliconix

2N4118A-2

Teilbestand: 3469

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

Wunschzettel.
2N4117A-E3
Vishay Siliconix

2N4117A-E3

Teilbestand: 3467

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

Wunschzettel.
2N4118A
Vishay Siliconix

2N4118A

Teilbestand: 3449

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1nA,

Wunschzettel.
2N4117A-2
Vishay Siliconix

2N4117A-2

Teilbestand: 3464

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1nA,

Wunschzettel.
2SK3796-2-TL-E
ON Semiconductor

2SK3796-2-TL-E

Teilbestand: 3405

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA,

Wunschzettel.
2SK3796-4-TL-E
ON Semiconductor

2SK3796-4-TL-E

Teilbestand: 3426

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA,

Wunschzettel.
2SK3666-4-TB-E
ON Semiconductor

2SK3666-4-TB-E

Teilbestand: 101963

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA,

Wunschzettel.
2SK715W-AC
ON Semiconductor

2SK715W-AC

Teilbestand: 3406

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA,

Wunschzettel.
2SK715U-AC
ON Semiconductor

2SK715U-AC

Teilbestand: 3469

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA,

Wunschzettel.
2SK715V-AC
ON Semiconductor

2SK715V-AC

Teilbestand: 3461

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA,

Wunschzettel.
2SK715W
ON Semiconductor

2SK715W

Teilbestand: 3372

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14.5mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA,

Wunschzettel.
2SK715U
ON Semiconductor

2SK715U

Teilbestand: 3435

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7.3mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA,

Wunschzettel.
2SK596S-B
ON Semiconductor

2SK596S-B

Teilbestand: 3432

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

Wunschzettel.
2SK771-5-TB-E
ON Semiconductor

2SK771-5-TB-E

Teilbestand: 3380

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 20mA,

Wunschzettel.
2N5639
ON Semiconductor

2N5639

Teilbestand: 3367

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V,

Wunschzettel.
2N5462
ON Semiconductor

2N5462

Teilbestand: 3362

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5639RLRAG
ON Semiconductor

2N5639RLRAG

Teilbestand: 3393

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V,

Wunschzettel.
2N5639G
ON Semiconductor

2N5639G

Teilbestand: 3405

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V,

Wunschzettel.
2N5638RLRA
ON Semiconductor

2N5638RLRA

Teilbestand: 3378

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V,

Wunschzettel.
2N5638RLRAG
ON Semiconductor

2N5638RLRAG

Teilbestand: 3376

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V,

Wunschzettel.
2N5461RLRAG
ON Semiconductor

2N5461RLRAG

Teilbestand: 3406

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5462G
ON Semiconductor

2N5462G

Teilbestand: 3431

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5461RLRA
ON Semiconductor

2N5461RLRA

Teilbestand: 3385

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5639_D75Z
ON Semiconductor

2N5639_D75Z

Teilbestand: 3364

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V,

Wunschzettel.
2N5638_D26Z
ON Semiconductor

2N5638_D26Z

Teilbestand: 3373

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V,

Wunschzettel.
2N5459_D75Z
ON Semiconductor

2N5459_D75Z

Teilbestand: 3394

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

Wunschzettel.
2N5459_D27Z
ON Semiconductor

2N5459_D27Z

Teilbestand: 3400

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

Wunschzettel.
2N5459_D74Z
ON Semiconductor

2N5459_D74Z

Teilbestand: 3414

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

Wunschzettel.
2N5458_D27Z
ON Semiconductor

2N5458_D27Z

Teilbestand: 3411

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

Wunschzettel.
2N5458_D26Z
ON Semiconductor

2N5458_D26Z

Teilbestand: 3375

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

Wunschzettel.
2N5457_L99Z
ON Semiconductor

2N5457_L99Z

Teilbestand: 3425

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

Wunschzettel.
2SK3372GTL
Panasonic Electronic Components

2SK3372GTL

Teilbestand: 3415

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 2mA,

Wunschzettel.
2SK3372GRL
Panasonic Electronic Components

2SK3372GRL

Teilbestand: 3446

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 2mA,

Wunschzettel.
2SK3372GSL
Panasonic Electronic Components

2SK3372GSL

Teilbestand: 3381

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 2mA,

Wunschzettel.
2SK0663GRL
Panasonic Electronic Components

2SK0663GRL

Teilbestand: 3375

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 30mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10µA,

Wunschzettel.
2SK2593GQL
Panasonic Electronic Components

2SK2593GQL

Teilbestand: 3452

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 30mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10µA,

Wunschzettel.