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RFQs / Order.
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Transistoren - JFETs

2N5457_D75Z
ON Semiconductor

2N5457_D75Z

Teilbestand: 3391

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

Wunschzettel.
2N5639_D26Z
ON Semiconductor

2N5639_D26Z

Teilbestand: 3367

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V,

Wunschzettel.
2N5457_D27Z
ON Semiconductor

2N5457_D27Z

Teilbestand: 3370

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

Wunschzettel.
2N5462_D27Z
ON Semiconductor

2N5462_D27Z

Teilbestand: 3402

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.8V @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5461_L99Z
ON Semiconductor

2N5461_L99Z

Teilbestand: 3369

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 9mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5461_D26Z
ON Semiconductor

2N5461_D26Z

Teilbestand: 3359

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5461_D74Z
ON Semiconductor

2N5461_D74Z

Teilbestand: 3401

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5457_D26Z
ON Semiconductor

2N5457_D26Z

Teilbestand: 3376

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

Wunschzettel.
2N3820_D26Z
ON Semiconductor

2N3820_D26Z

Teilbestand: 3355

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 8V @ 10µA,

Wunschzettel.
2N5638
ON Semiconductor

2N5638

Teilbestand: 3335

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V,

Wunschzettel.
2N5460_L99Z
ON Semiconductor

2N5460_L99Z

Teilbestand: 3337

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5460_D75Z
ON Semiconductor

2N5460_D75Z

Teilbestand: 3406

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5460_D74Z
ON Semiconductor

2N5460_D74Z

Teilbestand: 3412

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5460_D27Z
ON Semiconductor

2N5460_D27Z

Teilbestand: 3422

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5459
ON Semiconductor

2N5459

Teilbestand: 3353

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 10nA,

Wunschzettel.
2N3820
ON Semiconductor

2N3820

Teilbestand: 3378

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 8V @ 10µA,

Wunschzettel.
2N5460G
ON Semiconductor

2N5460G

Teilbestand: 3339

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5461G
ON Semiconductor

2N5461G

Teilbestand: 3382

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5457G
ON Semiconductor

2N5457G

Teilbestand: 3347

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

Wunschzettel.
2N5458G
ON Semiconductor

2N5458G

Teilbestand: 3367

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

Wunschzettel.
2N5461
ON Semiconductor

2N5461

Teilbestand: 3335

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

Wunschzettel.
2N5458
ON Semiconductor

2N5458

Teilbestand: 3341

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 10nA,

Wunschzettel.
2SK2593JQL
Panasonic Electronic Components

2SK2593JQL

Teilbestand: 3358

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 30mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10µA,

Wunschzettel.
2SK06630RL
Panasonic Electronic Components

2SK06630RL

Teilbestand: 3340

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 30mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 10µA,

Wunschzettel.
2SJ01640RA
Panasonic Electronic Components

2SJ01640RA

Teilbestand: 3422

FET-Typ: P-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 20mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 10µA,

Wunschzettel.
2SK06620RL
Panasonic Electronic Components

2SK06620RL

Teilbestand: 3359

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 20mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 10µA,

Wunschzettel.
2SJ01630RL
Panasonic Electronic Components

2SJ01630RL

Teilbestand: 3358

FET-Typ: P-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 20mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 10µA,

Wunschzettel.
2SK33720TL
Panasonic Electronic Components

2SK33720TL

Teilbestand: 3397

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 2mA,

Wunschzettel.
2SJ03640QL
Panasonic Electronic Components

2SJ03640QL

Teilbestand: 3385

FET-Typ: P-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 20mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 10µA,

Wunschzettel.
2SK33720SL
Panasonic Electronic Components

2SK33720SL

Teilbestand: 3330

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 2mA,

Wunschzettel.
2SK33720RL
Panasonic Electronic Components

2SK33720RL

Teilbestand: 3401

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 2mA,

Wunschzettel.
2SK23800QL
Panasonic Electronic Components

2SK23800QL

Teilbestand: 3349

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.3V @ 1µA,

Wunschzettel.
2SK275100L
Panasonic Electronic Components

2SK275100L

Teilbestand: 3347

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.4µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3.5V @ 1µA,

Wunschzettel.
2SK3372GUL
Panasonic Electronic Components

2SK3372GUL

Teilbestand: 3378

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 2mA,

Wunschzettel.
2SK33720UL
Panasonic Electronic Components

2SK33720UL

Teilbestand: 3335

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 107µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 2mA,

Wunschzettel.
2SK11030QL
Panasonic Electronic Components

2SK11030QL

Teilbestand: 172146

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 20mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1.5V @ 10µA,

Wunschzettel.