Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

IRF7317TRPBF

Teilbestand: 158547

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRFHS9351TRPBF

Teilbestand: 112687

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 10µA,

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Infineon Technologies

IRF7910TRPBF

Teilbestand: 127888

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRL6297SDTRPBF

Teilbestand: 142257

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 35µA,

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Vishay Siliconix

SQJB40EP-T1_GE3

Teilbestand: 152466

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ963EP-T1_GE3

Teilbestand: 91401

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

Teilbestand: 149146

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJQ910EL-T1_GE3

Teilbestand: 2597

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-E3

Teilbestand: 39374

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJB00EP-T1_GE3

Teilbestand: 152443

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-E3

Teilbestand: 142035

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJQ980EL-T1_GE3

Teilbestand: 2601

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZF906ADT-T1-GE3

Teilbestand: 2533

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4214DDY-T1-E3

Teilbestand: 188973

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

Vishay Siliconix

SQJB80EP-T1_GE3

Teilbestand: 152485

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDXB950UPEZ

Teilbestand: 193079

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDT290UNE,115

Teilbestand: 177961

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB70XPE,115

Teilbestand: 137499

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 79 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008PBKV,115

Teilbestand: 177076

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Rohm Semiconductor

QS6K21TR

Teilbestand: 129283

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM6M2T2R

Teilbestand: 127455

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 200mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8223-H,LQ(S

Teilbestand: 150969

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N44FE,LM

Teilbestand: 105414

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE,LM

Teilbestand: 179839

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.1V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L39TU,LF

Teilbestand: 111677

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 143 mOhm @ 600MA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37FU,LF

Teilbestand: 156819

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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ON Semiconductor

NTHD4102PT1G

Teilbestand: 108053

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDMB3800N

Teilbestand: 191355

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDS6890A

Teilbestand: 101115

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDY1002PZ

Teilbestand: 182634

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 830mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 mOhm @ 830mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDMA1032CZ

Teilbestand: 89328

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, 3.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDME1034CZT

Teilbestand: 154682

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDY3000NZ

Teilbestand: 111326

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMC2400UV-7

Teilbestand: 138188

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.03A, 700mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG1016V-7

Teilbestand: 107374

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 870mA, 640mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

Teilbestand: 173089

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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