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RFQs / Order.
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

DMP210DUDJ-7
Diodes Incorporated

DMP210DUDJ-7

Teilbestand: 191309

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.15V @ 250µA,

Wunschzettel.
DMN601DWK-7
Diodes Incorporated

DMN601DWK-7

Teilbestand: 176941

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 305mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.
DMN5L06DMK-7
Diodes Incorporated

DMN5L06DMK-7

Teilbestand: 107540

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 305mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
DMN2050LFDB-7
Diodes Incorporated

DMN2050LFDB-7

Teilbestand: 105819

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
DMN2004DMK-7
Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

Teilbestand: 125678

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
SQJB70EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB70EP-T1_GE3

Teilbestand: 113439

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.3A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI4936BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4936BDY-T1-E3

Teilbestand: 168524

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI1965DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1965DH-T1-E3

Teilbestand: 100544

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
SIA911ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA911ADJ-T1-GE3

Teilbestand: 139873

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
SQJ990EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ990EP-T1_GE3

Teilbestand: 141592

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SQ1563AEH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1563AEH-T1_GE3

Teilbestand: 2535

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SIA537EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA537EDJ-T1-GE3

Teilbestand: 157576

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI5513CDC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-GE3

Teilbestand: 193923

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ904E-T1_GE3

Teilbestand: 54848

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI1926DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1926DL-T1-E3

Teilbestand: 150474

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 370mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI7212DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7212DN-T1-E3

Teilbestand: 57376

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF9956TRPBF
Infineon Technologies

IRF9956TRPBF

Teilbestand: 162504

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF7301TRPBF
Infineon Technologies

IRF7301TRPBF

Teilbestand: 199318

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF3575DTRPBF
Infineon Technologies

IRF3575DTRPBF

Teilbestand: 34855

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 303A (Tc),

Wunschzettel.
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies

IRF7324TRPBF

Teilbestand: 97929

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IPG20N06S2L35ATMA1
Infineon Technologies

IPG20N06S2L35ATMA1

Teilbestand: 145368

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 27µA,

Wunschzettel.
IRF7103TRPBF
Infineon Technologies

IRF7103TRPBF

Teilbestand: 149977

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
IPG20N06S2L50ATMA1
Infineon Technologies

IPG20N06S2L50ATMA1

Teilbestand: 152225

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 19µA,

Wunschzettel.
SH8J31GZETB
Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

Teilbestand: 96459

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 1mA,

Wunschzettel.
SH8J62TB1
Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

Teilbestand: 138723

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.
EM6M1T2R
Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

Teilbestand: 166276

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Wunschzettel.
SSM6N57NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N57NU,LF

Teilbestand: 182932

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

Wunschzettel.
TPC8407,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

Teilbestand: 151036

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 7.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 100µA,

Wunschzettel.
SSM6N7002CFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

Teilbestand: 164511

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

Wunschzettel.
NTMD4N03R2G
ON Semiconductor

NTMD4N03R2G

Teilbestand: 117636

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
FDS6911
ON Semiconductor

FDS6911

Teilbestand: 99941

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
FDMD8630
ON Semiconductor

FDMD8630

Teilbestand: 2633

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A (Ta), 167A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 mOhm @ 38A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
FDS6975
ON Semiconductor

FDS6975

Teilbestand: 115211

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
FDS4897C
ON Semiconductor

FDS4897C

Teilbestand: 170499

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A, 4.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
MCH6660-TL-W
ON Semiconductor

MCH6660-TL-W

Teilbestand: 167591

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 136 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

Wunschzettel.
FC6946010R
Panasonic Electronic Components

FC6946010R

Teilbestand: 128607

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

Wunschzettel.