Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

SP8K2TB

Teilbestand: 195188

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SH8K15TB1

Teilbestand: 137046

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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QS8K11TCR

Teilbestand: 198738

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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US6M1TR

Teilbestand: 141982

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A, 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SH8M13GZETB

Teilbestand: 173570

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SI1965DH-T1-GE3

Teilbestand: 150223

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI1016X-T1-GE3

Teilbestand: 135127

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 485mA, 370mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI6926ADQ-T1-E3

Teilbestand: 129467

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI1023CX-T1-GE3

Teilbestand: 136072

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 756 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SQ3989EV-T1_GE3

Teilbestand: 124228

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI4670DY-T1-GE3

Teilbestand: 139899

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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SIZ300DT-T1-GE3

Teilbestand: 146800

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 9.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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SI7540ADP-T1-GE3

Teilbestand: 87195

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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SI4943CDY-T1-E3

Teilbestand: 89694

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SQJ992EP-T1_GE3

Teilbestand: 130455

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56.2 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SQJ570EP-T1_GE3

Teilbestand: 165202

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI5902BDC-T1-GE3

Teilbestand: 125173

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SQ1539EH-T1_GE3

Teilbestand: 2491

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 10V, 940 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

Teilbestand: 104906

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

Teilbestand: 162696

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 100µA,

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Texas Instruments

CSD85302L

Teilbestand: 146505

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard,

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Texas Instruments

CSD86360Q5D

Teilbestand: 67326

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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TSM200N03DPQ33 RGG

Teilbestand: 2506

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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FDMA1023PZ

Teilbestand: 100824

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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FDS8958B

Teilbestand: 194401

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.4A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NVMFD5485NLT3G

Teilbestand: 94178

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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NTJD4158CT1G

Teilbestand: 159746

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, 880mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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EFC6612R-TF

Teilbestand: 157184

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

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IRF7105TRPBF

Teilbestand: 196914

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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IPG16N10S4L61AATMA1

Teilbestand: 195154

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 90µA,

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IPG20N06S4L14ATMA2

Teilbestand: 126778

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 20µA,

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