Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

NX7002BKXBZ

Teilbestand: 151844

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB70XP,115

Teilbestand: 189968

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKSH

Teilbestand: 194648

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX6020CAKSX

Teilbestand: 2501

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7504TRPBF

Teilbestand: 176860

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7304TRPBF

Teilbestand: 196744

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IPG20N06S415AATMA1

Teilbestand: 108935

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 20µA,

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Vishay Siliconix

SI1024X-T1-GE3

Teilbestand: 185794

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 485mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

Teilbestand: 171457

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ730DT-T1-GE3

Teilbestand: 117470

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, 35A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQ4940AEY-T1_GE3

Teilbestand: 158519

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4925DDY-T1-GE3

Teilbestand: 189530

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIRB40DP-T1-GE3

Teilbestand: 117423

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQ4284EY-T1_GE3

Teilbestand: 100159

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJQ906EL-T1_GE3

Teilbestand: 63261

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJ958EP-T1_GE3

Teilbestand: 2544

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-GE3

Teilbestand: 63492

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-GE3

Teilbestand: 103126

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7252DP-T1-GE3

Teilbestand: 70505

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SQJB42EP-T1_GE3

Teilbestand: 152436

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-E3

Teilbestand: 190258

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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Rohm Semiconductor

QH8MA4TCR

Teilbestand: 163064

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8M11TCR

Teilbestand: 196980

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A,

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Rohm Semiconductor

SP8J65TB1

Teilbestand: 69246

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M12TB1

Teilbestand: 181504

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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ON Semiconductor

NTMFD4C88NT3G

Teilbestand: 40053

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.7A, 14.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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ON Semiconductor

NVMFD5483NLT3G

Teilbestand: 73044

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

MCH6663-TL-H

Teilbestand: 186117

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A, 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

Teilbestand: 146068

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 360mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7

Teilbestand: 125578

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, 2.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

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Diodes Incorporated

DMG4800LSD-13

Teilbestand: 135796

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFU,LF

Teilbestand: 175270

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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Panasonic Electronic Components

MTM78E2B0LBF

Teilbestand: 117955

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 2A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

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Panasonic Electronic Components

UP0187B00L

Teilbestand: 2665

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1µA,

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Texas Instruments

CSD87588N

Teilbestand: 140862

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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Micro Commercial Co

SIL2623-TP

Teilbestand: 2508

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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