Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

QS8K13TCR

Teilbestand: 183897

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SP8K31TB1

Teilbestand: 132551

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SH8KA2GZETB

Teilbestand: 158789

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SH8K5TB1

Teilbestand: 122471

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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QS8K21TR

Teilbestand: 194558

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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QS8M12TCR

Teilbestand: 150953

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SH8M14TB1

Teilbestand: 116026

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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IRF7104TRPBF

Teilbestand: 104561

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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IRF7379TRPBF

Teilbestand: 199093

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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IPG20N10S4L22AATMA1

Teilbestand: 108999

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 25µA,

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IRF6802SDTRPBF

Teilbestand: 60962

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 35µA,

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IPG20N06S4L26ATMA1

Teilbestand: 197280

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 10µA,

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IRLHS6376TRPBF

Teilbestand: 115333

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 10µA,

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IRF7902TRPBF

Teilbestand: 168640

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.4A, 9.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.25V @ 25µA,

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FDS8978

Teilbestand: 143107

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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NTZD5110NT1G

Teilbestand: 185466

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 294mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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FDG6322C

Teilbestand: 124499

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA, 410mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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HUFA76413DK8T-F085

Teilbestand: 2586

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NTJD5121NT1G

Teilbestand: 179833

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 295mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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FDPC8012S

Teilbestand: 47700

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, 26A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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MCH6661-TL-W

Teilbestand: 182202

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB85UPE,115

Teilbestand: 183418

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDT290UNEYL

Teilbestand: 2497

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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SI4559ADY-T1-E3

Teilbestand: 141967

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, 3.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

SQ9945BEY-T1_GE3

Teilbestand: 163985

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 64 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI7922DN-T1-E3

Teilbestand: 86587

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SIA923AEDJ-T1-GE3

Teilbestand: 138927

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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SSM6L12TU,LF

Teilbestand: 2495

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 100µA,

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DMN63D8LV-7

Teilbestand: 151779

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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ZDM4306NTC

Teilbestand: 2685

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 1mA,

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DMC2990UDJ-7

Teilbestand: 146844

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 450mA, 310mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMN2050LFDB-13

Teilbestand: 178082

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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