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RFQs / Order.
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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

QS8M13TCR
Rohm Semiconductor

QS8M13TCR

Teilbestand: 158531

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.
SP8J2TB
Rohm Semiconductor

SP8J2TB

Teilbestand: 2628

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.
SH8M41GZETB
Rohm Semiconductor

SH8M41GZETB

Teilbestand: 127920

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.
QH8MA2TCR
Rohm Semiconductor

QH8MA2TCR

Teilbestand: 145176

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.
SH8K22TB1
Rohm Semiconductor

SH8K22TB1

Teilbestand: 169285

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.
QS6M3TR
Rohm Semiconductor

QS6M3TR

Teilbestand: 170246

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

Wunschzettel.
QS6J1TR
Rohm Semiconductor

QS6J1TR

Teilbestand: 160158

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

Wunschzettel.
HUFA76407DK8T-F085
ON Semiconductor

HUFA76407DK8T-F085

Teilbestand: 3322

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
FDMC8200S
ON Semiconductor

FDMC8200S

Teilbestand: 148692

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 8.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.
NTHD3102CT1G
ON Semiconductor

NTHD3102CT1G

Teilbestand: 118797

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

Wunschzettel.
FDC3601N
ON Semiconductor

FDC3601N

Teilbestand: 102462

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF7389TRPBF
Infineon Technologies

IRF7389TRPBF

Teilbestand: 166810

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF7907TRPBF
Infineon Technologies

IRF7907TRPBF

Teilbestand: 173843

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A, 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

Wunschzettel.
IRFHM792TRPBF
Infineon Technologies

IRFHM792TRPBF

Teilbestand: 82378

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 10µA,

Wunschzettel.
IRF7506TRPBF
Infineon Technologies

IRF7506TRPBF

Teilbestand: 149700

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IRF9362TRPBF
Infineon Technologies

IRF9362TRPBF

Teilbestand: 188725

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 25µA,

Wunschzettel.
IRF7509TRPBF
Infineon Technologies

IRF7509TRPBF

Teilbestand: 158332

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A, 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
IPG20N06S4L14AATMA1
Infineon Technologies

IPG20N06S4L14AATMA1

Teilbestand: 125877

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 20µA,

Wunschzettel.
DMP2004VK-7
Diodes Incorporated

DMP2004VK-7

Teilbestand: 179589

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 530mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
ZXMN3AM832TA
Diodes Incorporated

ZXMN3AM832TA

Teilbestand: 2640

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

Wunschzettel.
DMN61D9UDW-7
Diodes Incorporated

DMN61D9UDW-7

Teilbestand: 182168

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated

DMC2700UDM-7

Teilbestand: 130711

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.34A, 1.14A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
DMHC3025LSD-13
Diodes Incorporated

DMHC3025LSD-13

Teilbestand: 180355

FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 4.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI1034CX-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1034CX-T1-GE3

Teilbestand: 141761

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 610mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 396 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1922EEH-T1_GE3

Teilbestand: 2536

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 840mA (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SQJB68EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB68EP-T1_GE3

Teilbestand: 2512

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA906EDJ-T1-GE3

Teilbestand: 181601

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI7228DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7228DN-T1-GE3

Teilbestand: 108156

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ200DT-T1-GE3

Teilbestand: 2544

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI5908DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5908DC-T1-E3

Teilbestand: 118929

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.
SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ912BEP-T1_GE3

Teilbestand: 2589

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

Wunschzettel.
SQ1912EH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1912EH-T1_GE3

Teilbestand: 132067

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
SI7272DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7272DP-T1-GE3

Teilbestand: 110674

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
NX138AKSF
Nexperia USA Inc.

NX138AKSF

Teilbestand: 110186

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.
EPC2110
EPC

EPC2110

Teilbestand: 26911

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 700µA,

Wunschzettel.
EPC2108
EPC

EPC2108

Teilbestand: 83651

FET-Typ: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

Wunschzettel.