Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

AON3613

Teilbestand: 2846

FET-Typ: N and P-Channel, Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AON7902

Teilbestand: 2909

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 13A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AON7820

Teilbestand: 2905

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AON6922

Teilbestand: 2854

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A, 31A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.7V @ 250µA,

AON6918

Teilbestand: 2899

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, 26.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AON6910A

Teilbestand: 2864

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A, 16A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AON6908A

Teilbestand: 160676

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A, 17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.9 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AON5810

Teilbestand: 135258

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AON5802B

Teilbestand: 192395

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AON4807

Teilbestand: 2870

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AON4605

Teilbestand: 121859

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AON2880

Teilbestand: 2900

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AON2800

Teilbestand: 2829

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 47 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

AOD607

Teilbestand: 2889

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO8818

Teilbestand: 2886

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AOC2802

Teilbestand: 2855

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate,

AO8804

Teilbestand: 2865

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AO6801A

Teilbestand: 2890

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

AO4830

Teilbestand: 2895

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 250µA,

AO4821

Teilbestand: 189745

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 850mV @ 250µA,

AO4613

Teilbestand: 2910

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4924

Teilbestand: 2854

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AON7932

Teilbestand: 2904

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A, 8.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AON7900

Teilbestand: 2883

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 13A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AO8807

Teilbestand: 115236

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 850mV @ 250µA,

AUIRF9952Q

Teilbestand: 2919

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7379Q

Teilbestand: 2916

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7342Q

Teilbestand: 3348

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7341Q

Teilbestand: 2859

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7319Q

Teilbestand: 2903

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7313Q

Teilbestand: 2913

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7316Q

Teilbestand: 5424

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7304Q

Teilbestand: 2891

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AUIRF7309Q

Teilbestand: 2875

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AUIRF7303Q

Teilbestand: 2880

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 100µA,

APTJC120AM13VCT1AG

Teilbestand: 2840