Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

APTML202UM18R010T3AG

Teilbestand: 2939

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 109A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

Teilbestand: 3301

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

Teilbestand: 3350

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

Teilbestand: 2866

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

Teilbestand: 2896

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 139A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

Teilbestand: 293

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

Teilbestand: 1142

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

Teilbestand: 2917

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

Teilbestand: 2886

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

Teilbestand: 2885

FET-Typ: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

Teilbestand: 2935

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

Teilbestand: 2862

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 66A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

Teilbestand: 2932

FET-Typ: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

Teilbestand: 1136

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

Teilbestand: 424

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

Teilbestand: 666

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

Teilbestand: 2898

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

Teilbestand: 5403

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

Teilbestand: 2849

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 3mA,

ALD111910SAL

Teilbestand: 38839

ALD111910PAL

Teilbestand: 38839

AOC2800

Teilbestand: 2871

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate,

AON6974A

Teilbestand: 2934

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

AON6970

Teilbestand: 2849

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A, 42A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AON6928

Teilbestand: 2893

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AON2809

Teilbestand: 2941

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

AON6973A

Teilbestand: 2858

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

AON7826

Teilbestand: 2861

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

AO5803E

Teilbestand: 2874

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

AO5800E

Teilbestand: 2920

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO5600E

Teilbestand: 2939

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA, 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AO4618

Teilbestand: 192153

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AON6974

Teilbestand: 2877

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

AON6936

Teilbestand: 2917

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AON6938

Teilbestand: 2882

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, 33A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO6801E

Teilbestand: 2875

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,