Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

AO4850

Teilbestand: 2967

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AON3814L

Teilbestand: 3020

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

AON5802BL

Teilbestand: 2948

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.2A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AO6800L

Teilbestand: 2951

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AO6601L

Teilbestand: 2994

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A (Ta), 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3A, 10V, 135 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

AO4840L

Teilbestand: 2989

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4840L_102

Teilbestand: 2965

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4818BL_102

Teilbestand: 2970

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4616L_103

Teilbestand: 2955

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.1A (Ta), 7.1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8.1A, 10V, 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA,

AO4614BL_DELTA

Teilbestand: 2928

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4616L

Teilbestand: 2992

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.1A (Ta), 7.1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8.1A, 10V, 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA,

AO4614BL

Teilbestand: 3018

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4614BL_201

Teilbestand: 3023

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4600CL

Teilbestand: 3010

AO4612L

Teilbestand: 3004

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, 105 mOhm @ 3.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4600C

Teilbestand: 3327

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Ta), 5.6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA,

AOC3864

Teilbestand: 2968

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

AOC3860

Teilbestand: 2997

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

AON6884L_002

Teilbestand: 2922

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

AOD604

Teilbestand: 2914

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO8830

Teilbestand: 2957

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

AO4946

Teilbestand: 2984

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4622

Teilbestand: 2934

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

AOD607_DELTA

Teilbestand: 2968

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V, 37 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

AOD607_001

Teilbestand: 2916

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc),

AON5802B_101

Teilbestand: 2938

AON5802ALS

Teilbestand: 2904

AON4807_101

Teilbestand: 2919

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

AOC2802_001

Teilbestand: 2960

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AON2801L

Teilbestand: 2975

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AO9926BL_101

Teilbestand: 2900

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

APTJC120AM25VCT1AG

Teilbestand: 3378

APTMC120HR11CT3AG

Teilbestand: 2997

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 5mA,

APTM20DHM20TG

Teilbestand: 2966

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 89A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM120TA57FPG

Teilbestand: 3311

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTC80DSK15T3G

Teilbestand: 2936

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,