Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

AO4822L_101

Teilbestand: 2926

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4822AL

Teilbestand: 2937

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4822AL_102

Teilbestand: 2930

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4821L

Teilbestand: 2889

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 850mV @ 250µA,

AO4822_101

Teilbestand: 2919

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4818BL_101

Teilbestand: 2886

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4818L

Teilbestand: 2884

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4812L_101

Teilbestand: 2974

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4812L

Teilbestand: 2904

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4812_101

Teilbestand: 2947

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4807L

Teilbestand: 2938

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4806L

Teilbestand: 2910

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

AO4803L

Teilbestand: 2914

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4805L_101

Teilbestand: 2939

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

AO4803AL

Teilbestand: 2963

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

AO4801L

Teilbestand: 2906

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

AO4801AS

Teilbestand: 2971

AO4801AL

Teilbestand: 2897

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

AO4801AL_001

Teilbestand: 2928

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 250µA,

AO4800L

Teilbestand: 2903

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

AO4616L_102

Teilbestand: 3349

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

AO4614B_101

Teilbestand: 2973

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4614BL_103

Teilbestand: 2888

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AO4613_001

Teilbestand: 2944

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

AON6971

Teilbestand: 2884

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, 40A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

AO4952

Teilbestand: 190149

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

APTMC60TLM55CT3AG

Teilbestand: 222

FET-Typ: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTMC120AM16CD3AG

Teilbestand: 166

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 131A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 5mA (Typ),

APTMC60TL11CT3AG

Teilbestand: 420

FET-Typ: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 1mA,

APTC90AM60SCTG

Teilbestand: 647

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12SCTG

Teilbestand: 686

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 3mA,

APTC60DSKM70CT1G

Teilbestand: 2914

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60DDAM70CT1G

Teilbestand: 3376

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

APTML502UM90R020T3AG

Teilbestand: 2888

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 52A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

APTC60DDAM45CT1G

Teilbestand: 2940

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

APTML102UM09R004T3AG

Teilbestand: 2898

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 154A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,