Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

SP8J66TB1

Teilbestand: 59328

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A,

Wunschzettel.

SH8M2TB1

Teilbestand: 104614

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.

QH8KA2TCR

Teilbestand: 115998

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.

QS8J5TR

Teilbestand: 118611

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.

QS8J2TR

Teilbestand: 191347

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

Wunschzettel.

Texas Instruments

CSD87330Q3D

Teilbestand: 109566

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

Wunschzettel.

Texas Instruments

CSD86330Q3D

Teilbestand: 82595

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.6 mOhm @ 14A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

Wunschzettel.

Texas Instruments

CSD87351Q5D

Teilbestand: 82196

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.6 mOhm @ 20A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI7946ADP-T1-GE3

Teilbestand: 2605

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI4943CDY-T1-GE3

Teilbestand: 89672

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI7232DN-T1-GE3

Teilbestand: 199705

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.4 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI7938DP-T1-GE3

Teilbestand: 98652

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.8 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI1900DL-T1-E3

Teilbestand: 163022

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 590mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 480 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

SQJ980AEP-T1_GE3

Teilbestand: 152466

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

SI7994DP-T1-GE3

Teilbestand: 37667

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.6 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

EPC

EPC2111

Teilbestand: 48430

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 5mA,

Wunschzettel.

EPC

EPC2110ENGRT

Teilbestand: 67578

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 700µA,

Wunschzettel.

EPC

EPC2101

Teilbestand: 21570

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA,

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ZXMHC3F381N8TC

Teilbestand: 158568

FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.98A, 3.36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

DMP3098LSD-13

Teilbestand: 100979

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

Wunschzettel.

DMC2038LVT-7

Teilbestand: 126085

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel.

DMC4015SSD-13

Teilbestand: 158558

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.6A, 6.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel.

DMC2020USD-13

Teilbestand: 192882

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A, 6.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel.

DMN601DMK-7

Teilbestand: 108557

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 510mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel.

DMC3021LSD-13

Teilbestand: 164162

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

Wunschzettel.