Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

IPG20N06S4L11AATMA1

Teilbestand: 94288

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 28µA,

IRF7309TRPBF

Teilbestand: 150382

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

IPG20N04S408ATMA1

Teilbestand: 104533

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 30µA,

IPG20N10S4L35AATMA1

Teilbestand: 155833

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 16µA,

IPG20N04S412ATMA1

Teilbestand: 172931

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 15µA,

IPG20N10S436AATMA1

Teilbestand: 139478

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 16µA,

SI9926CDY-T1-GE3

Teilbestand: 111109

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

SQJ504EP-T1_GE3

Teilbestand: 2528

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

SI4816BDY-T1-GE3

Teilbestand: 93645

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, 8.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SI9945BDY-T1-GE3

Teilbestand: 172002

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SQJ244EP-T1_GE3

Teilbestand: 2521

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), 60A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

SI6562CDQ-T1-GE3

Teilbestand: 161237

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.7A, 6.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

SI6913DQ-T1-GE3

Teilbestand: 172370

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 400µA,

SI4936CDY-T1-GE3

Teilbestand: 170890

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

SQJ202EP-T1_GE3

Teilbestand: 136680

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, 60A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

QS6J11TR

Teilbestand: 168987

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

EM6K7T2R

Teilbestand: 107116

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

QS8K2TR

Teilbestand: 107158

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

QS6J3TR

Teilbestand: 190781

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

FDS8960C

Teilbestand: 111818

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 35V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTAG

Teilbestand: 147558

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

EFC2J003NUZTCG

Teilbestand: 117536

NTZD3154NT1G

Teilbestand: 148850

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FDC6312P

Teilbestand: 122807

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDS6910

Teilbestand: 118152

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT1G

Teilbestand: 126305

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

CSD87333Q3D

Teilbestand: 148026

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

CSD75208W1015

Teilbestand: 129424

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

DMG9926UDM-7

Teilbestand: 140078

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

DMN2400UV-7

Teilbestand: 180036

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.33A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

DMN6066SSD-13

Teilbestand: 191351

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 66 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

DMC4040SSD-13

Teilbestand: 197787

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.8V @ 250µA,

PMDXB600UNELZ

Teilbestand: 153614

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

NX3008NBKS,115

Teilbestand: 184047

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

EPC2107

Teilbestand: 79571

FET-Typ: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A, 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

SSM6N7002KFU,LF

Teilbestand: 124781

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,