Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

MS1003

Teilbestand: 935

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Häufigkeit - Übergang: 136MHz ~ 175MHz, Dazugewinnen: 6dB, Leistung max: 270W,

MS2472

Teilbestand: 7221

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 5.6dB, Leistung max: 1350W,

MS2392

Teilbestand: 7354

SD1372-03H

Teilbestand: 7343

MS1409

Teilbestand: 6714

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Häufigkeit - Übergang: 175MHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 7W,

MPA201HS

Teilbestand: 7314

MRF4427R2

Teilbestand: 7287

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Dazugewinnen: 20dB, Leistung max: 1.5W,

TAN150

Teilbestand: 377

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 7dB, Leistung max: 583W,

MRF8372R2

Teilbestand: 4822

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,

MS1007

Teilbestand: 4756

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 55V, Häufigkeit - Übergang: 30MHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 233W,

MS1087T

Teilbestand: 7288

MRF517

Teilbestand: 7260

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 4GHz, Dazugewinnen: 9dB ~ 10dB, Leistung max: 2.5W,

TAN300

Teilbestand: 253

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 6.6dB, Leistung max: 1166W,

MS2204

Teilbestand: 7244

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Häufigkeit - Übergang: 1.09GHz, Dazugewinnen: 10.8dB, Leistung max: 600mW,

TAN500

Teilbestand: 227

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 75V, Häufigkeit - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 2500W,

MS2586

Teilbestand: 7060

SD1536-03

Teilbestand: 7105

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 292W,

MS2587

Teilbestand: 7035

MS2248

Teilbestand: 7050

JANTXV2N4957

Teilbestand: 7087

Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Dazugewinnen: 25dB, Leistung max: 200mW,

SD1536-08

Teilbestand: 389

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8.4dB, Leistung max: 292W,

UTV020

Teilbestand: 7081

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 470MHz ~ 860MHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 17W,

MRF8372GR1

Teilbestand: 7120

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Häufigkeit - Übergang: 870MHz, Dazugewinnen: 8dB ~ 9.5dB, Leistung max: 2.2W,

MS2554

Teilbestand: 318

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 6.2dB, Leistung max: 600W,

MS2393

Teilbestand: 7035

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Dazugewinnen: 8.2dB, Leistung max: 583W,

MRF555

Teilbestand: 4779

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 16V, Dazugewinnen: 11dB ~ 13dB, Leistung max: 3W,

MS2356A

Teilbestand: 7120

MS2228

Teilbestand: 7106

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Häufigkeit - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 175W,